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31.
设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56MHz ASK100%、10%调制射频卡所需要的时钟。针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊的设计。本电路作为模块可应用于符合ISO/IEC15693、ISO/IEC18000-3标准的非接触IC卡中。通过Cadence spectre软件,使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺模型进行验证。仿真结果显示:电路采用3.3V电源供电时,100%调制载波幅度为0%时,总工作电流仅为17μA。  相似文献   
32.
分析了SVPWM的原理,深入研究了SVPWM的具体算法和实现方法,建立了基于TMS320F2812的数字控制系统,给出硬件总体结构和软件程序设计方法.实验结果表明,该方案电路简单、易于实现,而且提高了系统工作的实时性和可靠性,为实际电机控制系统的设计和调试提供了新的思路,具有一定的参考价值.  相似文献   
33.
针对间歇法生产过氧化甲乙酮存在安全隐患大的问题,进行了以强酸性离子交换树脂为催化剂可换热式固定床连续法合成过氧化甲乙酮的研究。考察了稀释剂、反应温度、空速、双氧水和甲乙酮物质的量比对反应的影响。结果表明,优选的反应条件为邻苯二甲酸二甲酯为稀释剂、常压、反应温度20℃、空速0.5~1 h-1、双氧水和甲乙酮物质的量比为(1.6~2)∶1,产物中活性氧质量分数量可达11.3%以上。500 h稳定性研究显示催化剂稳定性良好。  相似文献   
34.
以红树莓全汁为原料,利用低温发酵技术从8株酿酒酵母中筛选出优良菌株Y164(S.cerevisiae Hansenvar ellipsoideus),同时研究了红树莓干酒的发酵工艺并对影响红树莓干酒品质的关键性工艺参数进行了优化。按照0.05%的比例向压榨后的果汁中添加果胶酶,并保温45℃作用2h后,采用正交试验法优化发酵条件,结果显示:初始糖度为20%,主发酵温度为18℃,添加亚硫酸的浓度为0.11g/L,酒醪液含酸量为7.0g/L,前期发酵时间7~12d,后发酵需12~16d。澄清处理采用明胶-丹宁复合澄清剂,最后得到具有红树莓独特风味和典型宝石红色、果香浓郁、口味纯正、澄清透明的优质红树莓干酒。  相似文献   
35.
GPRS系统简介     
对通用分组无线业务(GPRS)系统结构及其所能够提供的业务进行描述,同时也对GPRS网与现有GSM网的关系进行了说明。  相似文献   
36.
针对甲基丙烯酸甲酯(MMA)-甲醇-水三元体系,使用Aspen Plus流程模拟软件得到该体系的剩余曲线与液液平衡相图,并建立4种精制工艺,分别为汽提(i)、精馏(ii)、进料精馏(iii)及侧线精馏(iv)。以MMA收率及能耗作为评价指标,对4种分离工艺进行模拟研究。结果表明:汽提(i)与精馏(ii)的MMA收率接近,均低于80%,但汽提(i)流程比精馏(ii)流程节能;进料精馏(iii)的MMA收率为83.65%,侧线精馏(iv)的MMA收率最高,为97.1%,且能耗比进料精馏(iii)低。对比分析进料精馏(iii)与侧线精馏(iv),侧线精馏(iv)塔内液相流量大,甲醇与水的摩尔分数高,萃取效果好,分离程度更高。  相似文献   
37.
研究粗加工及精加工刀具选择、模具零件的数控编程工艺,通过数控仿真进行加工时间的对比,确定出最优的数控编程工艺,从而实现模具加工效率的提升;通过对比刀具在不同的刀间距情况下残高的具体数值,并结合模具行业的加工质量要求,确定出最优的刀间距数值参数,实现加工质量和加工效率的最佳融合。  相似文献   
38.
采用0.18μm CMOS工艺,设计了用于低中频Zigbee接收机的可自动频率调谐的Gm-C复数滤波器.通过跨导放大器(Gm)按比例设计,解决了核心滤波器与PLL调谐电路的匹配问题,达到好的调谐效果.仿真结果显示:滤波器中心频率为2MHz,带宽2MHz,镜像抑制比大干55dB,群延时小于0.9μs,电流功耗仅为1.5mA.  相似文献   
39.
电流控制模式的开关电源变换器在占空比D>0.5时,存在次谐波振荡问题,因此必须进行斜坡补偿。在分析了峰值电流模式的DC/DC转换器中斜坡补偿原理的基础上,介绍了一种用于斜坡补偿的振荡电路,该振荡电路主要是通过对电容充放电的控制产生所需要的斜波,从而应用于DC/DC补偿。电路基于0.35μmCMOS工艺设计,并在Cadence下对电路进行整体仿真。结果表明该电路能在较大电源电压及温度范围内正常工作,能够提供1MHz的振荡信号。  相似文献   
40.
RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。  相似文献   
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