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111.
金属—绝缘体复合薄膜中的纳米颗粒形态控制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用多靶磁控溅射仪旋转基片的方法,利用红外灯管加热基片,制备了不同基片温度的Ag-SiO2复合薄膜,采用TEM分析了薄膜的微观结构并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明:通过改变基片温度,可以控制Ag-SiO2复合薄膜中Ag颗粒直径为10 ̄100nm;薄膜的电阻率亦可能过基片加热在10^2 ̄10^6μΩ·cm范围内改变。 相似文献
112.
吴亮 《Windows IT Pro Magazine》2006,(7):71-76
历经一个月的等待,我们的专栏又和大家见面了。本期BI专栏的主题是:OLAP建模新概念——UDM。 相似文献
113.
看看纽约时报今年3月17日的一篇报导(见本期,一种“病毒”引起计算机行业恐慌),似乎是耸人听闻,但这是事实。这种事例也不是非此莫数。有人曾使用一个共享存储软件包ARC,把程序和数据压缩后,再存储在磁盘上。其中有一个版本ARC513.EXE,使用时它把信息写在磁盘的0道上,使文件分配表遭到破坏,并使这块盘成为无用盘。本文介绍“计算机病毒”概念,讨论由F.Cohen提出的理论及病毒的检测和防治。 相似文献
114.
运行OS/2的安装程序,选择高级安装,运用OS/2 Warp的FDISK程序,创建两个可安装、可引导管理器菜单,形成双制式启动(可由开机后的引导菜单选择启动)。安装过程OS/2的安装程序将询问您对OS/2所在分区采用何种管理方式(FAT与HPFS),应选择HPFS方式管理OS/2所在分区。 相似文献
115.
116.
117.
AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能.因此,氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点.为了减少AlN晶体中的氧杂质含量,通常在长晶之前使用粉料高温烧结工艺去除大部分的氧杂质.使用XRD及EGA等检测方法,对不同烧结工艺下AlN烧结过程中坩埚盖处的氧杂质沉积行为及其规律进行了对比研究.研究发现,使用低温(900~1 100℃)真空保温与1 500℃的氮气保护下保温相结合的方法可以极大促进氧杂质在坩埚盖处的前期沉积.在氮气保护环境下进一步提升烧结温度至2 000~2 100℃并经过一段时间的保温后,坩埚盖沉积物表面会出现黄褐色AlN结晶层,相应的检测结果表明此阶段坩埚盖处的氧杂质大量挥发,沉积过程已经基本结束. 相似文献
118.
喷雾干燥法处理水合氧化锆 总被引:6,自引:0,他引:6
比较了采用直接煅烧、干燥后煅烧、喷雾干燥等3种方法处理水合ZrO2,再通过气流粉碎获得超微细粉ZrO2;同时用激光衍射法、光透法、场发射扫描电镜和BET法测试了粉末的性能.结果表明:直接煅烧水合ZrO2获得的粉末团聚严重,颗粒粗而均匀性差;水合ZrO2通过低温静止干燥,可以减少颗粒的团聚,提高粉末颗粒分布的均匀性,但效率低;喷雾干燥法处理水合ZrO2,通过动态反应,易获得细晶粒的球状颗粒,可避免粉末的团聚,且粉末分散性好、晶粒分布均匀. 相似文献
119.
用无机胶化法制备3Y—PSZ粉末,其D50在0.5~0.8μm之间,BET为3.1~3.3m^2/g,粒度分布均匀、狭窄;用该粉末通过热压铸制备陶瓷件,研究其烧结体的部分力学性能。结果表明:在较低的温度下烧结粉末,其四方相只有82%左右;用此粉未烧结后得到陶瓷体的四方相含量大于96%;陶瓷体的烧结密度大于理论密度的98%,抗弯强度为667MPa,维氏硬度为1100MPa。热压铸成型与模压和等静压成型方法相比,烧结密度差异不明显,但强度、硬度和显微结构差异较大。热压铸陶瓷体内部有明显的气孔洞,结构不紧密,晶粒粗且晶界明显,而等静压陶瓷体晶粒联系紧密,均匀性好。 相似文献
120.
针对露天边坡与既有下穿隧道的协同爆破施工,为确保上部边坡爆破开挖作用下既有隧道围岩稳定与安全,以某石油储备基地扩建项目为工程背景,利用ANSYS 18. 0建立上部露天边坡与既有下穿隧道协同施工的数值计算模型,研究露天边坡爆破施工对既有下穿隧道扩大段的影响。结果表明:上部边坡爆破施工激发向下传播的初始纵波,随着距离的增加逐渐衰减,到达隧道拱顶自由面折反射形成面波而后在拱与边墙交点处产生叠加现象,导致面波向下传播的规律为先增大后减小。相比于隧道扩挖前,扩挖后隧道断面拱顶质点Z向振动速度峰值提高68. 1%,为7. 58cm/s;拱顶单元动态拉应力峰值提高150%,为0. 45 MPa。根据《爆破安全规程》要求,隧道围岩在上部边坡开挖爆破荷载作用下是稳定的。建议在实际施工中,将隧道扩大段的开挖时序安排在上部边坡爆破施工区域远离隧道扩挖段之后。研究成果对地下近接隧洞爆破施工及隧道扩挖工程具有重要参考价值。 相似文献