统计抽样在审计中的运用

对统计抽样在审计中的意义进行概述。强调在市场经济体制中,经济越发后,越需要加强审计的预警监控。举例说明了运用固定样本容量抽样对内部控制制度进行的符合性测试,为实质性测试确定审查的范围、重点、数量和方法提供了依据。在实质性测试中通过举例说明了变量抽样差异估计的应用。     

可调节型低抖动时钟占空比稳定电路的设计

介绍了一种用于高速流水线ADC双沿采样的时钟占空比稳定电路。在传统占空比稳定电路的基础上,增加含连续时间积分器的反馈环路,并设计了时钟周期检测电路,同时可通过SPI配置积分器的参考电压,在片外调节芯片制造过程中产生的误差,并在前端增设一个高增益带宽时钟放大器,用来放大幅度很小(Vp-p<100 mV)的差分输入时钟信号。电路采用0.18 μm 1.8 V 1P5M CMOS工艺,可对频率范围为50~250 MHz、占空比范围为10% ~ 90%的输入时钟进行稳定调节,时钟峰-峰值抖动约为0.3 ps @ 250 MHz。     

分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．     

油香与一个回族老人的情结

3月27日晚饭间,隔壁单元邻居敲门进来,头戴小白帽手端6个油香和香喷喷的馓子花花等送给我,说明天是古尔邦     

CMOS流量传感器的传热特性分析

对ＣＭＯＳ流量传感器的传热特性进行了分析研究，提出在器件前后端之间采用隔热结构是提高器件灵敏度的一种有效方法，隔热槽长度是传感器灵敏度的关键参数。实验表明当隔热槽长度为１６５μｍ左右时，器件灵敏度最佳。     

电动汽车仪表电磁辐射干扰分析

某款电动汽车依据GB 14023-2011测试时,"上电且发动机不运转"模式下的辐射发射测试超标。对整车电气系统进行干扰源排查,初步判断仪表为可能干扰源。描述了仪表作为干扰源的准确定位,并分析了仪表PCB上时钟信号产生干扰的机理,提出了PCB改进措施。整改后,辐射发射测试达到标准要求。     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求