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正IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(Computation Scaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则 相似文献
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正蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D'ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制造,在30v的温度上,工作在连续波(CW)模式,在2微米波长时,其发射功率是几毫瓦。 相似文献
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正高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV~(TM)-可在功率转换应用(1至50KW)中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV~(TM)技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压,具有高峰值电流功能并可在氮化镓电 相似文献
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正美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research(SRC)与康耐尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)晶体管,并可提供给SRC联盟成员采用,做为CMOS芯片上的时序(timing)解决方案。这种MEMS-JFET元件是在硅晶振谐器(resonator)上制作一个结场效应 相似文献
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正中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案,与传统IP库相比,可使客户 相似文献
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LED照明领域的市场领先者科锐公司日前宣布,其白光功率LED光效再度突破行业最高纪录,达到231 lm/W。这项纪录是科锐在该领域取得的又一重大突破,同时也进一步显示出科锐以其坚持不懈的创新精神推动LED照明领域不断向前发展的决心。科锐报告显示,231lm/W的LED光效结果是在使用单芯片器件、4500K 相似文献
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根据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)日前所发布的一份报告,芯片代工巨擘台积电(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互连的半导体产品,因而可能和已经宣布即将推出首款3D芯片的英特尔形成潜在的竞争关系。 相似文献
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根据统计,IC封测数量持续成长,其中又以覆晶封装和晶圆级封装成长力道最明显,主要系因低成本、高容量和高效能的系统需求。虽然成长趋势不变,但封测业面临的挑战增加,包括平均单价下滑、材料成本高升等。上述趋势带动高效能IC封装技术如带动铜柱、层叠封装和TSV 3D IC等兴起。其中3D IC趋 相似文献
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三星电子继2009年全球率先量产利用133 Mbp传输速度启动的30纳米级32 Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后,今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的64 Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。 相似文献
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碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替代其直流母线升压电路中的硅(Si)PiN同类产品,并且很快就会出现在商用系统的逆变器部分。 相似文献