先驱体法制备PZT/ZrO2复合陶瓷材料

研究了一种新的制备PZT／ZrO2复合陶瓷材料的方法。借助B位先驱体法，首先合成亚稳态的钙钛矿固溶体，在高温下ZrO2相从固溶体中析出得到PZT／ZrO2复合陶瓷材料。在冷却过程中，已在PZT晶粒内析出的ZrO2相发生四方到单斜的相变，伴随该相变的体积膨胀会对晶界产生压应力，起到强化晶界的作用，从而使陶瓷材料的力学性能得到明显提高。     

两相复合介质等效介电常数的二维模拟计算

采用蒙特卡洛有限元法，在二维正方形格子上模拟计算了两相复合介质的等效介电常数，并用对数混合方程、Wakino方程、Maxwell-Wagner方程和通用有效介质方程（GEM）对模拟数据进行了拟合。结果表明；GEM方程中的拟合参数t和A随介电常数比的增大而增大；在全浓度范围内，GEM方程的拟合效果显著优于其他方程。     

CaCu3Ti4O12巨介电氧化物陶瓷的制备与性能

研究了合成CaCuaTiO12巨介电响应氧化物的固相反应。用X射线衍射跟踪反应进程。该反应以CaTiO3为中间产物。两步合成工艺可以降低完全反应所需温度,并可在不超过1000℃下合成单相CaCuaTi4O12。通过引入过量CuO,进一步提高了介电常数,降低了介电损耗。在1080℃下烧成的CuO过量4mol％的陶瓷试样,相对介电常数为29000,损耗角正切值为0．06（1kHz）。     

湿-干法合成超细颗粒PZT固溶体粉料及陶瓷

提出了一种制备PZT粉料及陶瓷的新工艺,即采用湿-干法制备PZT固溶体粉料。首先用聚合物中间体方法合成了钙钛矿型PZT中的B位离子氧化物固溶体ZrxTi1-xO2(x=0.50～0.56),并以此作为B位先驱体,其物相为单相,组成超出固相反应可以合成的单相ZrxTi1-xO2固溶体的锆钛比范围;然后用该先驱体与碳酸铅通过固相反应合成PZT固溶体。固相反应温度可显著降低至725℃,PZT粉料颗粒的粒度达到130nm。常温下,PZT陶瓷εr的最大值达到1260。     

A位非等配比对(NaBi)0.5(1-x)BaxTiO3性能的影响

研究了A位非等配比--过量Bi3+(Bi3+Na1+＞11)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响.随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象.当Bi3+∶Na+＝52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值.     

先驱体法生成PZT固溶体反应机理的研究

借助X光衍射的方法研究了反应煅烧法生成PZT固溶体的反应机理。研究表明，Zr0.5Ti0.5O2与PbO反应过程中没有中间相的生成，反应的快慢由Pb^2 在生成PZT中扩散的快慢控制，反应过程中生成的钙钛矿PZT的A位是Pb缺位。     

钛酸锆-铌酸镁系高频介质陶瓷的制备及介电性能的研究

采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430～1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26～34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。