过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。     

小曲中霉菌的分离纯化鉴定

小曲中的微生物主要有霉菌、酵母以及少量的细菌，在小曲上能看到的菌丝基本上都属于霉菌。以广东省九江酒厂有限公司提供的小曲为出发菌，采用土豆汁培养基进行纯培养，选取长有24个单菌落的平板进行分离纯化。制成纯培养菌。通过菌落特征、形态、制片标本和生理生化试验对纯培养菌进行鉴定。共分离出根霉菌株9株，经鉴定。其中根霉属4株。毛霉属1株，曲霉属3株。青霉属1株。(小雨)     

煤锅炉灰渣含碳量高的原因分析

分析煤锅炉灰渣含碳量高的原因及影响因素,提出有效的改进方案,确定降低灰渣含碳量的优化工艺条件,调整燃烧状况,使燃料得到充分燃烧,降低生产成本。     

我国实行工程担保的必要性

在市场经济发达国家,工程保证担保作为一种信用工具被广泛地运用于工程建设承发包中。本文中力求通过探究国外工程担保制度,并结合我国目前建筑领域存在的问题,说明我国实行工程担保制度的必要性。     

基于BIM的全寿命周期造价管理创新与实践

紧随"互联网+"新风向,大数据、BIM等信息化浪潮正快速涌入建设行业,有力促进工程造价行业的改变和升级。"BIM+"技术将彻底颠覆了全寿命周期工程造价管理的行为和模式。本文通过介绍BIM基本情况,阐述目前工程造价行业存在的问题,分析了BIM技术对传统造价行业的冲击,论述了基于BIM技术的工程造价管理改革和创新。     

高密度螺旋波等离子体源的应用进展

首先介绍了螺旋波的定义、螺旋波等离子体源产生等离子体所需条件的工作范围以及螺旋波等离子体源主要的一些应用.按照所加磁场范围的不同(分为在磁感应强度为100～1 600 Gs和在强磁场中两部分),分别进一步讨论了国内外各研究小组研制的等离子体源的运行参数及技术特点.随后介绍了螺旋波等离子体源在刻蚀、薄膜沉积和火箭推进三个...     

应用直接立面法与辅助心点量点法绘制透视图

摘 要：在“建筑阴影透视”课程教学中,量点法作建筑透视图的原理较复杂,而且在手工绘制量点法两点透视图时,经常遇到图幅过大造成灭点与视点落在图板之外（即不可达）而难以操作的情况。提出一种简便易行、有效利用有限图纸空间的方法：应用直接立面法与心点为辅助灭点综合的作图方法。如此,可以省略灭点,应用必然可达的心点和图板内的量点作图,还避免了学生容易将灭点和量点混淆的错误。并以基本立体和建筑群为例对该方法进行了应用和验证。结果显示,方法行之有效,值得推广应用。     

LRAD测量管道内α污染活度的BP网络模拟

针对风速、流量、探源距、测试管管长和管径等因素对核设施退役中管道内α污染测量造成的非线性影响,采用控制变量法开展长距离α测量(Long range alpha detector,LRAD)模拟装置下的多参数影响实验,初步分析了各种因素对系统测量值的影响特征,建立了以影响因素和测量值为输入、放射源活度为输出的BP神经网络模型,分别对948和100组数据进行了模型建立和实例检验,结果说明,预测平均相对误差为3.4218×10–4,实例平均相对误差为2.217×10–2。应用BP网络模型模拟LRAD装置下的α活度是可行且有效的。     

变量喷雾系统中果树冠幅检测方法研究

果树的变量喷雾系统要求快速实时地检测果树的冠幅,现有数字图像处理 检测果树冠幅存在不能实现实时检测且误差大或者不能检测果树实际冠幅值的问题,本文用 参照标准板与每株样本果树一起拍摄,通过求每张图像单位像素宽度的方法求取对应样本果 树的实际冠幅;再将采用该数字图像检测的果树冠幅与采用手持激光测距仪检测的冠幅标准 值作比较分析。试验结果表明：检测的50 株样本果树中,74%的样本数利用图像处理方法 所检测冠幅值与参考值的相对差值都小于20%,对果树冠幅数字图像检测值与标准值进行回 归分析,R2=0.7406,因此,在变量喷雾系统中采用图像处理方式检测果树冠幅是可行的。     

Intense Yellow Photoluminescence from Silicon Oxynitride Films Prepared by Dual Ion Beam Sputtering

In this work, results on the study of the structure and photoluminescence (PL) properties of SiOxNy thin films are presented. The films were deposited at room temperature using a dual-ion-beam co-sputtering system. The XRD and TEM results show that the deposited films have an amorphous structure. In the XPS result, we find N 1 s spectra consist of one symmetric single peak at 397.8 eV, indicating that the nitrogen atoms are mainly bonded to silicon. It is in agreement to the result of FTIR. In SiOxNy films, an intense single PL peak at 590 nm is observed. Furthermore, with the increase of the N content in the SiOxNy films, the intensity of the PL peak at 590 nm increases a lot. The PL peak of 590 nm is suggested to originate from N-related defects.