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随着5G技术的发展,数据传输带宽要求更高,电子元件的功率更大,因此带来封装体的散热负担更重。采用电镀铜填充微通孔在封装载板内形成铜柱阵列散热通道,是一种提高芯片散热效率的常用方式。而在没有优化的电流密度、对流强度和添加剂等各因素条件下电镀微通孔很容易在孔内留下空洞,造成可靠性问题,因此研究各种因素对电镀填孔的影响意义重大。文章通过建立电镀铜填充微通孔的数理模型,并采用多物理场耦合方法分析了微通孔填充的过程和边界条件,得出通孔内电流密度分布情况,实现了对填孔过程的实时模拟。使用电化学工作站对不同种类的添加剂进行恒电流和循环伏安测试,得到不同对流强度下各种类添加剂电化学特性;分析了不同添加剂在孔内调控铜沉积的作用,并给出各添加剂在微通孔处的极化/去极化作用模型。最后,通过哈林槽中测试板电镀研究了电流密度、对流强度、添加剂种类和浓度等重要因素对通孔填充过程的影响和作用,优化出满足工业生产需求的配方及其工艺条件 相似文献
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研究了一种用于PCB铜表面处理的全新耐高温有机物可焊保护剂(HT-OSP),它以2?[(2,4?二氯苯基)甲基]?1H?苯并咪唑(C14H10Cl2N2)为主要成分,溶液稳定性好,能在金属铜表面形成有机膜,避免铜面出现氧化、异色等现象.考察了各种因素对HT-OSP薄膜层厚度的影响,并根据抗氧化性、耐高温热稳定性等测试来判断HT-OSP薄膜对PCB表面的处理效果.对于含有4.5 g/L C14H10Cl2N2、3.5 mol/L有机酸、3 g/L长链酸及0.5 g/L金属盐的HT-OSP溶液,当其pH为3.0时,在45°C下对PCB处理75 s可获得最佳效果. 相似文献
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随着半导体封装载板集成度的提升,其持续增加的功率密度导致设备的散热问题日益严重。金刚石-铜复合材料因其具有高导热、低膨胀等优异性能,成为满足功率半导体、超算芯片等电子封装器件散热需求的重要候选材料。文章采用复合电镀法成功制备了铜/金刚石复合材料,考察了不同复合电镀的工艺方法、金刚石含量、粒径大小对复合材料微观结构、界面结合以及导热性能的影响。并通过优化复合电镀方式,金刚石添加量等工艺参数,制备了无空洞、界面结合紧密的高导热复合材料;仅添加8.8 vol%的金刚石,使复合材料的导热率从393 W/(m.K)增加到462 W/(m.K)。本技术可以应用于半导体封装领域,并进一步增强芯片的散热性能。 相似文献
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文章叙述了ACF(Anisotropic Conductive Film,各向异性导电膜)与驱动IC(Integrated Circuit,集成电路)芯片封装的历史,并强调了驱动IC封装在实现显示器微型化、高分辨率、低成本及高显示质量等方面的重要性。文章还对微细间距COF(Chip on Flex)连接用ACF的材料设计进行了介绍。文章指出低温固化ACF可以改善LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示屏)模块的生产效率,降低大型LCD模块表面的热应力;同时指出COG(Chip on Glass)连接后LCD面板的翘曲变形引起LCD模块漏光事故。ACF焊接温度的降低可以有效减少翘曲变形,避免在应用COG封装大型LCD模块的驱动IC时所产生漏光。 相似文献
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RTR(Roll to Roll)方式制作25μm/25μmCOF精细线路的参数优化 总被引:1,自引:1,他引:0
随着电子产品小型化和液晶显示器IC封装技术的快速发展,COF(Chipon Film)技术的应用市场得到了迅速扩大。按照片式减成方法制作的线宽/线距在50μm/50μm以下的精细线路,常常会出现导线过细或断线等缺陷。论文采用目前先进的RTR(Roll to Roll)生产工艺,选用12μm钢箔、15μm干膜,使用玻璃菲林进行图形转移,并运用正交设计法对影响精细线路品质的曝光能量、显影速度、蚀刻速度、蚀刻压力等因素进行优化试验。以精细线路的线宽和蚀刻系数作为评价标准,找出最佳参数,并分析了蚀刻压力对精细线路的影响机理。将最优化参数应用到生产中,使25μm/25μm的COF精细线路的成品率提高20%。最终实现25μm/25μm的COF精细线路的小批量生产。 相似文献
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辽宁省腐蚀与防护学会于1980年9月中旬在沈阳召开了成立暨第一次学术报告会。我省冶金、化工、石油、机械、军工等企业、高等院校、科研、设计院所的九十多名教授、研究员和工程技术人员参加了会议,著名防腐专家、北京化工学院左景伊教授,吉林、 相似文献