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41.
Si,Na掺杂的W-Ni-Fe高比重合金界面结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用人为加入Si、Na掺杂的方法,研究了Si、Na掺杂对高比重合金中的W-Ni-Fe及W-W界面结构所产生的影响。发现Si、Na掺杂使合金中的W-Ni,Fe及W-W界面产生孔隙,并偏聚于 面处生成层状SiO2夹杂相,孔隙和层状夹杂相严重削弱了W-Ni,Fe界面结合力,并使合金在冷却过程中产生微裂纹,这是造成合金性能下降的重要原因。 相似文献
42.
论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理,根据这些原理分析了离线测量设备,并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X,指出离线设备的特点及其局限性;分析了集成测量平台的特点,相比于离线测量,集成测量平台可获得较高的片间非均匀性.但会造成前5~7片的浪费,列举代表性集成平台NovaScan 2040,并分析其具体的技术特点:分析了在线传感器终点检测的优越性,其具有控制薄膜形貌及终点检测的功能,结合先进过程控制,可以达到极高的平整度;结合以上分析,指出今后CMP设备的发展方向。 相似文献
43.
综述了CMP后的晶圆测量方法,比较指出:光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜,而椭圆偏振法精度较高,但成本高昂,适宜于测量薄的薄膜。CMP后需要检测晶圆的表面状况,列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪。扫描电子显微镜常用于特征线宽的测量,其精度可达4nm;原子力显微镜是根据范德华力的原理制造,其探测精度高达0.1nm:但二者最大的缺陷就是操作复杂,成像十分费时。散射探测仪根据光的散射理论制造。可以快捷地全表面成二维图像,是值得推荐的一种测量手段。最后,指出今后的测量技术对半导体工艺的影响。 相似文献
44.
机械合金化制取Ni-Fe-Mo粉 总被引:1,自引:0,他引:1
机械合金化可使在室温下部分互溶体系Ni-Fe-Mo形成fcc固溶态粉末,Ni、Fe、Mo三种元素在粉末颗粒表面及内部均匀分布存在,固溶态粉末的液相生成温度的为1710K。 相似文献
45.
研究了W-Ni-Fe高比重合金烧结时的致密化,实验证明W-Ni-Fe合金烧结时的致密化过程具有液相烧结的特征,符合Kingery提出的方程。目前生产的W-Ni-Fe合金中粘结相常采用Ni:Fe=7:3或Ni:Fe=1:1。针对这两种成分的合金我们研究了不同温度下的收缩率、密度变化与时间的关系,并讨论了其致密化机理。 相似文献
46.
国产氯丁橡胶的质量,特别是硫调节型氯丁橡胶的质量,如贮存稳定性、加工安全性和质量均一性等,均不如国外同类产品。造成这种差距的主要原因是生产工艺本身存在许多技术问题。本文将对此进行分析和讨论,并相应提出一些改进建议。 相似文献
47.
48.
49.
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的硬度和模数值;根据Preston方程绘制九点测量数据图,发现前三种材料可满足抛光机理,而后两种的抛光行为更倾向于表面反应;根据五种材料抛光前后的实验数据表面形态图表,判断出抛光后材料粗糙度的走向。最后指出低k材料需要发展和完善的工艺及对抛光设备的进一步要求。 相似文献
50.