GaAs（331）A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制

采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。     

掺Te 的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性

分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.     

氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析

含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.     

低能N+注入与γ辐射拟南芥对可溶性蛋白和淀粉酶(AMY)、酯酶(EST)酶活和同工酶影响的比较分析

通过对N^ 注入与γ辐射处理后的拟南芥发芽势的统计分析,以及可溶性蛋白含量、M1和M2代拟南芥淀粉酶(AMY)和酯酶(EST)的活性、同工酶电泳图谱和基因组的RAPD分析,发现注入合适剂量的N^ 可以促进拟南芥的发芽率,而γ射线辐射对发芽率起抑制作用。可溶性蛋白、酶的活性和同工酶分析表明,离子注入与电离辐射的生物学效应有很大不同,特别是两种处理的剂量-效应关系明显不同,N^ 注入的剂量-效应关系呈特有的类“马鞍型”,γ射线辐射的剂量-效应关系呈“直线型”相关。结合RAPD初步分析,表明拟南芥同工酶的变化主要来自DNA的变异,并且是可以真实遗传的。     

Au离子注入花生种胚深度的研究

使用金属蒸汽真空孤离子源（MEVVA源）离子注入机对花生种胚进行Au离子的注入，采用卢瑟福背散射（RBS）和X射线能谱分析（EDAX）法测量Au元素在花生种子中的深度分布，并观察注入前后的样品形貌。结果表明，由于样品表面粗糙，RBS不适于测量Au元素在花生种子中的浓度分布，而EDAX的测量则显示Au元素在花生种子的最大穿透深度可达15μm。另外本文还讨论了离子注入的诱变机理。     

平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析

报道了一种具有平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器.使用数值模拟的方法对这种新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器与传统的RCE光电探测器的响应曲线和串扰特性进行了分析和对比, 分析了在半导体材料生长时厚度偏差对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响,还分析了入射光的入射角和偏振态对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响.     

原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究

研究了分子束外延中引入原子氢后,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在(311)A GaAs表面,原子氢导致了台阶状形貌的形成,在这种台阶状表面进一步生长了InAs量子点,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约.这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考.     

三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰     

高温(T=80℃)连续激射的2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器

研制了激射波长为2μm的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器。室温连续工作时,电流为1.2A时,出光功率为82.2mW。激光器连续工作温度可高达80℃,出光功率为63.7mW。     

GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Molecular beam epitaxy growth of a bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure on a pure GaAs matrix has been systemically investigated.The influence of growth temperature and the InAs deposition of both layers on the optical properties and morphologies of the bilayer quantum dot（BQD） structures is discussed.By optimizing the growth parameters,InAs BQD emission at 1.436μm at room temperature with a narrower FWHM of 27 meV was demonstrated.The density of QDs in the second layer is around 9×10⁹ to 1.4×10¹⁰ cm^-2. The BQD structure provides a useful way to extend the emission wavelength of GaAs-based material for quantum functional devices.