低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.     

高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器

成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作, 阈值电流密度为402 A/cm2, 在脉冲工作模式下, 功率达到700 mW.     

单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备

通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.     

1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器

报道了一种基于InGaNAs/CmAs多量子阱的1.3μm GaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AIAs分布布拉格反射镜(DBR)和InOaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器.探测器的峰值响应波长位于1298.4 nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0 nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10 13A/μm2.     

InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm-4,频移温度系数约为0.023 cm-1/K.光致发光(PL)峰在2.4～2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15～150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15～50 K随温度升高而升高,在60～150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.     

GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的．     

SIDEKICK软件的高级使用技巧

本文指出ＳＩＤＥＫＩＣＫ软件具有撤离驻留的功能，介绍了若干使用经验。     

植物种子微孔结构的正电子湮没研究

以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL)。测量结果表明,在芸豆和花生内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径分别为0.48nm和0.7nm。植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础。测量了注入200keV低能V离子的花生样品的PAL谱, 并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较。     

Mutagenesis of Arabidopsis Thaliana by N^＋ Ion Implantation

Ion implantation, as a new biophysically mutagenic technique, has shown a great potential for crop breeding. By analyzing polymorphisms of genomic DNA through RAPD-based DNA analysis, we compared the frequency and efficiency of somatic and germ-line mutations of Arabidopsis thaliana treated with N^＋ ion implantation and γ-rays radiation. Our data support the following conclusions： （1） N^＋ ion implantation can induce a much wider spectrum of mutations than γ-rays radiation does; （2） Unlike the linear correlation between the doses and their effect in γ-rays radiation, the dose-effect correlation in N^＋ ion implantation is nonlinear; （3） Like γ-rays radiation, both somatic and germ-line mutations could be induced by N^＋ ion implantation; and （4） RAPD deletion patterns are usually seen in N^＋ ion implantation induced mutation.