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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜,所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性。 相似文献
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A ferroelectric memory diode consisting of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration has been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The ferroelectric properties and the memory characteristics are investigated. The P-E curve of the PZT/BIT/p-Si films system had an asymmetry saturated hysteresis loop with P, = 15 μC/cm2 and Ec = 48 kV/cm, and the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, meanwhile the increase in coercive field was 12% . The C-V hysteresis loop and the I-V curve showed a memory effect derived from the ferroelectric polarization of PZT/BIT films, and the current density was 6.7 × 10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V. Our diode had nonvolatile and nondestructive memory readout operation. There was a read current disparity of 0.05 μA for logic "1" and logic "0" at a read voltage of + 2V, and the stored logical value ("1" or "0") could be read out in 30 min. 相似文献
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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
为制备符合铁电场效应晶体管( F F E T) 及铁电存储二极管( F M D) 要求的高质量铁电薄膜,采用 P L D ( Pulsed Laser Deposition) 工艺, 制备了不同 M F ( I) S 结构的硅基铁电薄膜系统由 C- V特性的对比分析可见, 影响 C- V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 C- V 特性提出了合理设想 相似文献