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电旋转技术目前已经成为相对成熟的生物芯片测量技术手段,但是其测量自动程度和测量精度一直是个需要解决的问题。基于许瓦兹-克里斯托(Schwarz-Christoffel Mapping,SCM)映射方法,一种用于电旋转电场分析的快速解析算法被提出。通过该算法的计算结果,电旋转测量的最佳区域被精确地定义。同时,由于该计算方法的精确度较高,而且相对于传统的有限元方法占用更少的计算资源且具有更快的计算速度,可用于电旋转测量数据的实时校正。最后,对该算法计算的结果和有限元方法计算的结果进行比较,两者的数据能够很好地吻合。 相似文献
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用sol—gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非C轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43.6μC/cm^2,矫顽场强&分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10^-6-10^-5A/cm^2之间. 相似文献
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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为制备符合铁电场效应晶体管( F F E T) 及铁电存储二极管( F M D) 要求的高质量铁电薄膜,采用 P L D ( Pulsed Laser Deposition) 工艺, 制备了不同 M F ( I) S 结构的硅基铁电薄膜系统由 C- V特性的对比分析可见, 影响 C- V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 C- V 特性提出了合理设想. 相似文献
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采用脉冲激光沉积方法 (PL D)制备了 Au/ PZT/ BIT/ p- Si多层结构铁电存储二极管 .对铁电存储二极管的P- E电滞回线、I- V特性曲线分别进行了测试与分析 ,并对其导电行为及基于 I- V特性回滞现象的存储机理进行了讨论 .实验表明 ,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化 (2 7μC/ cm2 )和较低的矫顽场 (4 8k V/ cm ) ,BIT铁电层有助于缓解 PZT与 Si衬底之间的界面反应和互扩散 ,减少界面态 ,与 Au/ PZT/ p- Si结构相比 ,漏电流密度降低近两个数量级 ,I- V特性曲线回滞窗口明显增大 相似文献
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利用因子分析方法建立实验教学课程子项之间的评估模型,采用学生在实验课程子项中的实际得分作为其输入,通过仿真计算,分析当前实验课程子项之间的相关性和因子特性,了解教和学多个方面的特征. 相似文献
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信息资源已成为知识经济时代人类最宝贵的资源。数据的透明访问成了许多应用迫切需要解决的问题 ,解决该问题有利于信息的共享并增加信息的价值。本文主要研究了分布式计算环境及其数据透明访问 ,提出了通过结合分布式计算和数据库访问技术 ,解决数据访问中透明性难题的方法 相似文献