新型的低高压MOS接口电路

本文介绍一种由八个高压MOS器件组成的低高压MOS接口电路.它采用与目前国际上先进的NMOS大规模集成电路工艺技术完全兼容的N阱硅栅等平面CMOS工艺,而不需要附加任何工艺步骤.本文描述了高压MOS器件的物理模型,介绍了器件结构和工艺设计,并给出了高压MOS器件的漏击穿电压时沟道长度、漂移区长度、离子注入剂量和延伸源场极的关系的实验结果.这种高压MOS器件的漏击穿电压最大可达400V(在零栅偏压时),最大饱和漏电流可达35mA(在栅压为10V时),而导通电阻低到600(?)(在栅压为10V时).     

真空微电子器件中的场致发射阴极硅锥尖的制备工艺研究

本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺，采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术，制成了形状较好的硅尖，并对实验研究结果进行了比较、分析和讨论。     

SDB技术制备n／p材料及其在兼容电路中的应用

一、引言 近几年来,功率MOS场效应管及其集成电路的研究越来越引人注目。功率MOS管及其集成电路中最基本的单元是纵向双扩散结构(简称VDMOS)。对于VDMOS的制备,它的难点之一是要求高电阻率的厚外延层,这在国内尚属正在研究的课题。而硅片直接键合(Silicon—Wafer Directly Bonded,简称SDB)的最大优点是在于能较容易地制备这种材料。SDB制备n/p材料的方法来代替普通的外延,对推进功率MOS管的发展将有很大的促进作用。本文专题讨论用SDB技术制备n/p材料以及用SDB材料制备出性能满意的低压P沟器件和高压肖特基器件。     

硅片直接键合技术及应用

本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件、介质隔离器件等方面的应用。     

CSSPD型固体放电管及其应用

本文扼要介绍了新一代防雷电涌保护器件－ＣＳＳＰＤ型固体放电管的一系列独特优点、工作特性、电学参数和应用实例。     

高压PMOSIC的器件和工艺设计

本文介绍一种新颖的由八个PMOS高压器件组成的高压PMOSIC,描述了高压PMOS的器件设计和工艺设计,高压PMOS器件的物理模型,并给出了实验结果.     

一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺

一、引言 随着大规模集成电路的飞速发展,对于在一个芯片上同时集成多种功能的兼容技术愈来愈感兴趣。能将具有低的功耗,高的抗干扰能力的CMOS和具有高跨导、低1/f噪声的双极晶体管及低/高压MOS接口电路灵活地集成在一起,可以使系统单片集成提供一种新的可能。我们的实验中选用N阱等平面硅栅CMOS工艺为基础的一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺。     

高低压兼容单片CMOS驱动器的设计

采用标准n阱硅栅等平面CMOS工艺,将耐压大于200V、吸收电流大于200mA的高压功率VMOS器件与工作在5V电源电压的CMOS控制电路兼容在同一个硅芯片上。分析了电路设计及工艺措施,证明这种技术可以低成本地制作各种低高压兼容电路。     

ISFET的设计制造和封装技术

本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。     

具有DSA E/O MOS预算器的2000Hz锁相环CMOS大规模集成电路

由于锁相环数字频率合成器系统在调频调幅无线电接收机中的最新应用,对减少芯片数目和更低功耗的要求已经实现。本文将叙述一种带有短波(FM/SW)的预定标器单片锁相环大规模集成电路,以满足设计发展之需要。 锁相环大规模集成电路已经籍助于N沟E/D MOS和CMOS晶体管的结合而获得实现,并推广应用于预定标器电路。