用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列

本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较好的硅尖阵列，测试结果表明，起始发射电压为５～６Ｖ，发射电流在阳极电压为２０Ｖ时为０．５ｍＡ，反向击穿电压为７５Ｖ。     

场发射金属尖陈列的研究

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列，这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径。     

半导体功率器件开关特性测试仪

本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１ ０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ７００Ｖ。     

晶片生产的自动化

目前制造计算机逻辑电路的业务范围主要因素是芯片数目不断地迅速增长,例如,每年设计和生产双极型芯片数目比五年前增加了100倍,这种喜剧性的增长反过来提出了一个严重的周期问题,它要求非常灵活的设计和制造系统。 为帮助满足对制造大规模逻辑集成电路的不断增加的自身要求,我们已经发展了快速周期(QTAT)的半导体单一晶片工艺生产线,该线是以(?)(?)元件为基础,是由计算机控制和高度自动化的。该线是由如图(1)所示的八个自动化段所组成,具有能够提供范围广泛的部件的特色:自动化工艺控制系统、晶片电子发送指令系统,数据收集和分析,送料过程控制和单一晶片工艺生产能力自动化,晶片管理和贮存系统,沾(?)控制系统和     

新型功率器件MCT的计算机模拟

采用了合理的物理模犁和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对ＭＣＴ的优化设计具有实际指导意义。     

场发射金属尖阵列的研究

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖阵列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖阵列，这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径     

新型功率器件MCT的研究

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm~2的阳极电流.     

高压MOS集成电路及其应用

本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.     

离子敏PH传感器的研究

本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。     

新型功率器件MCT的研究

探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。