一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法：MCT多晶化形变研究之二

介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。     

高强度硫化锌光学介质膜的表面与断面形态观察

采用光学显微镜、显微干涉仪、扫描电子显微镜等,对在不同工艺条件下制成的硫化锌光学介质膜层的表面形貌和断面结构进行了观察,并对其厚度进行了测量。观察和测量的结果表明:蒸镀膜层厚度约为1μm,未经特定工艺处理前,晶粒较粗,结构不致密,断面为典型的柱状结构,其机械牢固性差。经特定工艺处理后的膜层,其断面仍为柱状结构。但表面形态表明晶粒较细,结构较致密,其机械牢固性极佳。     

铁电晶体LiTaO_3的光散射和透射

本文叙述对LiTaO_3晶体观察到的光散射现象和在0.4μm～50μm波段对该晶体作的透射率的测量。观察了我们拉制的LiTaO_3晶体在不同的温度和电场作用下,当He—Ne激光(λ=0.633μm)通过它时所产生的光散射现象,观察结果表明:“散射中心是大小与光波波长同一个数量级的微铁电畴”这一结论是正确的。可利用这一散射现象直观地检验晶体极化处理的程度。同时,测量了晶体在退火前后、极化前后的透射率;并对这三种情况作了比较。     

(Hg_0.6Cd_0.4)_(1-y)Te_y的缺陷分析

金属饱和Hg_(0.8)Cd_(0.4)Te的(p-n)值和P_(H(?))值可用一简单的非简并半导体模型来适配,这种半导体包含有双离子化的固有施主和受主,以及浓度为1～4×10~(15)cm~(-3)的外来施主。所得到的参数与室温的禁带宽度和本征载流子浓度的现有值相一致,也与考虑了计算的电离杂质散射后所需要的高度补偿相符合。这些参数是: log_(10)n_i=-1118/T 13.76 1.5logT logP_(H(?))(本征)=-4850/T 7.926 logk_2~(1/2)=-4032/T 21.52     

碲镉汞晶片的多晶化与形变织构

本文重点介绍采用X射线衍射仪对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析。在只经研磨的晶片的X射线衍射图谱上,2θ角在20°～90°的范围内有(111),(220),(311),(331),(420),(422)等品面的衍射峰出现,属多晶衍射谱。将此晶片仔细抛光后,其衍射峰数目急剧下降。通常只有一个峰,有的为(111),有的为(220)或(420)等。     

Y-Ba-Cu氧化物高温超导体的X射线衍射分析

对具有不同名义配比及不同烧结条件下形成的Y-Ba-Cu氧化物进行了X射线结构分析。所得实验数据表明:具有较好超导临界参量的样品所含金属Y-Ba-Cu的配比为1∶2∶3,化学组成为YBa_2Cu_3O_(9-x),属畸变的正交钙钛矿型结构。单胞基矢α_(?)=3.821A,6_(?)=3.891A,c_(?)=11.675A,单胞体积V=173.57A~3。当样品中所含金属的比例偏离1∶2∶3时,其X射线衍射谱由多相物质的衍射峰组成。分析还表明:超导性的强弱与衍射峰的强度相关;超导相的形成与否,热处理条件至关重要。     

碲镉汞单晶片的多晶化与形变织构

本文重点介绍采用X射线衍射分析法对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析,只经研磨的晶片的X射线衍射图上2θ从20°到90°的范围内,有(111)、(220)、(311)、(420)……等晶面的衍射峰出现,实属多晶衍射谱,将晶片抛光后,其衍射峰数目急剧下降。一般只剩下一个衍射峰,有的为(111),有的为(220),或(420)等不一。表明经抛光后的晶片为单晶片。对一定数量的晶片反复经研磨—衍射分析—抛光—衍射分析,其衍射谱也就多峰-单峰交替出现。实验过程中还发现大部分晶片在经受研磨后的衍射谱中,(110)面的二级衍射,即(220)峰出现强化的几率最大。此现象表明研磨能导致择优取向,出现形变织构。本文从X射线衍射原理和晶体范性形变的X射线研究出发,结合碲镉汞晶体的结构特征和所具有的滑移特点,对晶体的多晶化和形变织构的形成机理进行了初步探讨。     

对两类MCT红外探测器的剖析

用剖析法观察了两类光伏型红外碲镉汞(MCT)探测器晶片:一类其D~*在1×10~8～5.9×10~9cm Hz~(1/2)/W之间,λ。在8～13.8μm范围内;另一类是无P—N结特性的。观察结果表明:前一类晶片(以后简称为“有信号”的)相对辐照方向具有[111]取向;而后一类晶片(简称为“无信号”的)其取向是无规则的。本文从晶体中原子排布及缺陷(位错)的特点,初步讨论了晶片取向对探测器性能的影响。