高温盐浴快速加热处理Cr12MoV钢冷成型模

用Cr12MoV钢制的冷成型模，采用快速加热淬火，通过测定其组织和性能以及现场寿命跟踪考核，表明经该工艺处理后，模具的性能明显提高。     

埋地钢构筑物在工频电场作用下的腐蚀

本文提出了用电场理论和电化学理论相结合的方法来研究交流腐蚀这一途径。在变化极快,强度甚大的交流干扰电场作用下。金属的电化学腐蚀过程发生变化。此时,电场强度是一个重要的物理量。测量和分析了干扰电压、电位梯度、点电流密度、失重量及腐蚀坑深后,可以看出失重量随平均电流密度而增加,腐蚀坑深随干扰电压而加剧。根据埋片实验结果,初步提出了交流腐蚀临界安全电压指标。     

微剂量学在辐射诱发染色体畸变原发过程分析中的应用

本文根据微剂量学的基本概念,用改变 Rossi 型正比计数器(LET-SW1/2)腔内组织等效气体压力(体积比分别为 CH_4:64.4%,CO_2:32.4%和 N_2:3.2%)的方法,测量了~(60)Coγ射线在50—200mmHg 的气体压力范围内所相应的模拟组织直径(0.92—3.7μm)上的事件大小的分布谱。从而,建立了单次能量沉积事件比能的剂量平均与模拟组织直径的经验关系。并对照辐射诱发染色体畸变产额与吸收剂量的关系,推论得到淋巴细胞辐射敏感区的直径约为0.93μm。     

(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜的制备

采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜.采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi34,Yb06)Ti3O12[BYT]铁电薄膜.用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT66A)测试了其铁电性.并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析.     

ZrC/奥氏体相界面形变诱导铁素体相变超细化机理

利用Gleeble-1500热模拟试验机进行单轴热压缩实验,研究了含ZrC粒子的低碳钢在形变诱导相变过程中ZrC粒子对铁素体晶粒细化的影响及铁素体形核的基本特性.结果表明:一定粒径和体积分数的ZrC粒子弥散分布于基体相中时,能够阻碍位错的运动,形成集中形变区,加速形变诱导相变的进程,因而提高铁素体形核率,导致铁素体晶粒细化;ZrC/奥氏体相界面上形变诱导铁素体相变具有形核位置不饱和性、新生α相超细晶的特点;在应变条件下,铁素体晶粒在〈111〉方向择优取向,晶粒内部存在一定量的小角度晶界,由于铁素体动态再结晶的发生,组织进一步细化.ZrC/奥氏体相界面铁素体晶粒的超细化机理是形变诱导相变、铁素体动态再结晶及ZrC粒子弥散强化三者同时作用的结果.     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

水-空交替淬火技术及其在石油套管热处理中的应用研究

以热轧25MnV钢石油套管为研究对象,通过性能测试、透射电镜等方法,对比研究了水-空-水双介质交替淬火和强化冷却淬火两种工艺对钢的组织与力学性能的影响。结果表明:水-空-水交替淬火工艺可以有效减少石油套管的淬火内应力,防止淬火裂纹的产生;在该工艺下所得下贝氏体+板条马氏体束交割分布的复相组织以及马氏体条间少量残余奥氏体等二次析出相的综合作用下,材料的冲击韧性明显提高,综合力学性能大幅改善,提高了石油套管的抗断裂失效能力和使用安全性。     

FEI-TECNAI-G20型与HITACHI-HT7700型透射电子显微镜结构异同及维护

通过电镜的硬件结构和性能两方面对FEI-TECNAI-G20型六硼化镧灯丝透射电子显微镜和日立HT7700型钨灯丝透射电子显微镜进行比较。硬件结构上FEI-TECNAI-G20和HT7700在光源,真空系统和成像系统上都有较大的区别,以至于在性能上都有着各自的优缺点;在仪器维护方面也有着异同。