MPCVD金刚石薄膜的红外椭偏光学性能研究

椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺条件。     

基于数字信号处理方式读出二元并行CdZnTe探测器输出信号

本文中介绍了二元并行CdZnTe探测器的读出电子线路,特别是用于信号处理的数字电路。结果显示用模拟电路方法测得二元并行探测器的探测效率分别是单元探测器的1.8和2.倍,但能量分辨率被限制了。然而对于能量分辨率的测试结果,数字方法得到的结果比模拟方法得到的好很多,提高了26.67%,同时探测效率却没有见效。导致这一区别的原因文中也做了相应的讨论。     

Parallel readout of two-element CdZnTe detectors with real-time digital signal processing

Readout electronics,especially digital electronics,for two-element CdZnTe(CZT) detectors in parallel are developed.The preliminary results show the detection efficiency of the two-element CZT detectors in parallel with analog electronics is as many as 1.8 and 2.1 times the single ones,and the energy resolution(FWHM) is limited by that of the single one by the means of analog electronics.However,the digital method for signal processing will be sufficiently better by contrast with an analog method especial...     

碲镉汞衬底上沉积类金刚石薄膜的界面分析

采用等离子增强化学气相法 (PECVD)在碲镉汞 (MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜 (DLC) ,对DLC MCT界面进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,并与离子溅射法 (IS)沉积的ZnS MCT界面比较 ,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的分解 ,在一定程度上阻挡了MCT中Hg的外扩散 .相对于ZnS中的S而言 ,DLC的C在MCT中的内扩散深度较小 (前者为 4 0 0 ,而后者仅为 2 0 0 ) .红外透射光谱结果表明DLC膜比ZnS膜具有更好的抗反射效果     

类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用

介绍了类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用.类金刚石薄膜隔绝了外界对多孔硅表面的影响,使硅氢键不易断裂,从而减少了非辐射复合中心,稳定了多孔硅的发光性能.通过在类金刚石薄膜中掺氮还可以进一步提高钝化效果,因为氮使多孔硅表面更多的悬空键被钝化形成Si-N键,从而提高了发光强度.     

金刚石膜在多孔硅发光中的应用

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。     

用于高频声表面波器件的CVD金刚石衬底的研究

使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑金刚石膜结构.通过光学显微镜、扫描电镜及原子力显微镜测试自支撑金刚石膜成核面的表面形貌.研究结果表明:成核期的低气压有助于提高成核密度,成核面表面粗糙度约为1.5 nm;拉曼光谱显示1334 cm-1附近尖锐的散射峰与金刚石SP3键相对应,成核面含有少量的石墨相,且受到压应力的作用;ZnO/自支撑金刚石膜结构的XRD谱显示,氧化锌薄膜有尖锐的(002)面衍射峰,是c轴择优取向生长的.     

金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核

在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.     

恶二唑为侧链的PPV类小分子光电性质研究

合成了恶二唑为侧链的系列PPV衍生物小分子(En),主要通过升降温差热分析(DSC)曲线、偏光显微镜、紫外吸收光谱、电化学行为曲线以及多层器件等,研究了小分子的电学和光学性质,发现其具有液晶性、电子和空穴传输性、发光性等优良性能,是一种非常具有吸引力的有机电致发光小分子。引进R-OXD(En)层后在低于3V时就能得到可见光发射,在7V时其光亮度为1000cd·m-2。     

多层式金刚石薄膜的制备工艺研究

利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,沉积了晶粒尺寸逐层减小的多层式金刚石薄膜.场发射扫描电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示其表层晶粒平均尺寸约为20nm,厚度和表面平均粗糙度分别为35.81μm和18.8nm(2μm×2μm),皆能满足高频声表面波器件用衬底的要求.实验结果表明,多层式生长方法是制备声表面波器件用金刚石衬底的理想方法.