阵列波导光栅薄膜的制备及性能

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅.     

“声特亮”数码卡拉OK机及高级话筒

<正> “声特亮”数码卡拉OK机是重庆CYMET(绅士)公司推出的新一代具有嗓音改善系统的数码卡拉OK机。目前正式上市有两款,即K100G型和K700型数码卡拉OK机(下称K系列卡拉OK机)。这两款卡拉OK机电路基本相同,只是面板结构不同:K100G为金色加宽机型,宽度为国际流行的高档机宽度尺寸475mm,采用进口金色铝合金面板,专用于与高档次的进口或国产功放配套;K770为430mm宽的普及机型,采用黑色铝合金面板,适应大多数普及型功放。 “声特亮”话筒是专门设计的高档动圈话筒,配合“声特亮”卡拉OK机可以达到最佳的演唱效果,当然该话筒也适用于其它卡拉OK系统中。     

AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟

考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.     

大马士革铜互连线织构的研究

采用EBSD研究了不同线宽和退火前后Cu互连线的织构和晶界特征分布.Cu互连线均具有多重织构,其中(111)织构强度最高.沉积态样品在室温下发生了自退火现象,并出现了一些异常长大的晶粒.随高宽比降低和退火处理,Cu互连线晶粒尺寸变大,(111)织构得到加强,而具有较低应变程度的织构与(111)织构强度的比例下降.沉积态样品出现了(111)<112>和(111)<231>织构组分.退火后,出现了(111)<110>组分,而且(111)<112>和(111)<231>组分得到增强.Cu互连线以大角度晶界为主,其中具有55°～60°错配角的晶界和∑3晶界比例最高,35°～40°的错配角和∑9晶界次之.随高宽比增加和退火处理,∑3晶界比例逐渐升高,∑9晶界比例下降.     

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.     

介绍一款性能优异的杜比定向逻辑解码器

进入九十年代,众多发烧友已不满足单纯玩Hi—Fi,开始组建具有最新视听感受的家庭影院,在家中欣赏杜比立体声影片那令人振撼的全方位音响效果。组建一套家庭影院音响只需在原Hi—Fi器材基础上增加一台杜比定向逻辑解码器和相应的中置、环绕音箱     

SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.     

Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层

基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.     

场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究

提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。     

Cl2/BCl3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。