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121.
金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段.键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物 理参量,均对器件性能有很大影响.采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模 仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线...  相似文献   
122.
为了使随工艺条件变化的动态阻容等效负载自动变换成传输线的特征阻抗50,实现射频电源的最大功率传输,提出了一种PLC控制的自动阻抗匹配器设计方案,采用鉴相鉴幅方法,构建闭环控制系统,实现对动态变化阻抗的实时跟踪.匹配良好时,反射系数可以控制在0.2%以内,具备匹配范围大、可靠性高、抗干扰能力强等特点.最后通过计算机仿真和...  相似文献   
123.
通过钢护筒定位纠偏装置、旋挖钻头以及十字叉架拧管器下放钢护筒,实现了旋挖出土和钢护筒跟进护壁循环作业,提升了钻孔灌注桩钢护筒的定位精度和安装施工效率。利用定位平台的四角定位孔确定了桩基中心点,实现了钢筋笼的精准下放。利用钢筋笼吊架安装钢筋笼,可有效降低钢筋笼吊装施工的难度。将钢护筒进行密封并预留加压孔,通过往密闭的钢护筒内施加空气压力就能实现钢护筒的顶升拔除,减小摩阻力的同时消除动静摩阻力的突变影响,提高了施工效率。向密闭的空间持续通入空气,当顶升力超过钢护筒自重及侧摩阻力之和时,钢护筒上升,解决了复杂地质条件下钢护筒的拔除难题。  相似文献   
124.
石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。  相似文献   
125.
国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.  相似文献   
126.
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