以注氮SiO2作为铜互连技术中的新型阻挡层

采用给PECVD SiO2中注入氮的方法,形成一薄层氮氧化硅,以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．     

较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜,各向异性磁电阻(AMR)值达到1.2%,而其矫顽力却只有127.4A/m.结构分析表明较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少,内应力小;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多,内应力大.     

腔室状态对图形化蓝宝石衬底刻蚀工艺的影响

图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究。采用光学发射光谱仪和扫描电镜研究了PSS生产过程中腔室状态的变化对蓝宝石的刻蚀速率、选择比和图形形貌的影响。研究结果表明:随着反应腔累积放电时间的增加,刻蚀速率呈现下降趋势,选择比呈先上升然后下降的趋势。该趋势由反应腔室内表面上的沉积物所引起。     

三维物体的重建方法

综述了三维物体重建的各种方法。首先介绍被动还原重建的几种方法,指出了它们的缺陷,即像素匹配问题。接着介绍了从二维坐标空间转化到三维坐标空间所要遵从的对极几何限制,并通过数学推导得出坐标转化表达式。在此基础上重点讨论了三维物体主动还原重建方式,特别是结构光还原的方法,通过结构光的引入,能够较好地解决像素匹配问题,提高了还原的准确性,减少了拍照的次数,有利于动态物体的重建。根据双色反射模型,通过让系统的光路满足反射定理,且角度为60°,可改善主动还原重建方法对物体颜色限制在中性色的条件。最后讨论了精确匹配和消除强光的方法。     

等离子体浸没离子注入技术与设备研究

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法--等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统.采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度.     

霍尔器件参数测试系统

提出了一种基于微控制器的霍尔器件参数测试系统设计方案.描述了总体设计方案,并详细介绍了硬件部分的可调电压源和数据采集部分.给出了系统软件设计思想及部分参数的测试结果.该霍尔器件参数测试系统可以快速准确地测量霍尔器件的各项电参数和磁参数,并且具有测试和筛选功能,操作界面友好,使用方便.     

原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展

随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。     

光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备

采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.     

MH/Ni电池自放电性能的研究进展

综述了影响MH/Ni电池自放电特性的各种因素的研究进展,包括电池中的负极、正极、隔膜和电解液等对电池自放电的影响;同时还讨论了对这些因素的改进方法.