SO I 单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计

利用有限元分析方法，借助ANSYS软件，对SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟，探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下，宽长比对理论输出的影响，以及应变膜厚度对理论输出的影响，给出了设计应变膜的优化方案；并对根据模拟结果首次制作的SOI单晶硅压力传感器进行了测量，结果与理论值符合得较好。     

ASIC设计中基于Verilog语言的inout(双向)端口程序设计

论文详细介绍了基于Verilog硬件描述语言的inout(双向)端口设计方法,提出了一种与实际情况吻合的仿真方法,并通过CMOS图像传感器控制电路设计中一个可综合的设计实例,指出了设计和仿真中应注意的问题。     

CMOS 有源像素传感器光响应分析及实验模型建立

在分析CMOS工艺中的N /P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered 0.35μm 2P4M N阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的灵敏度(0.76 V/lx.s)和从像素中提取的电容值,可得电流密度和入射光强度之间的线性系数为7.542×10-4A/m2.lx.这个简单、精确的模型适合在设计CMOS图像传感器中,预测光电二极管和CMOS图像传感器的性能.     

双积分CMOS图像传感器时序控制电路研究

用简单的模拟电路实现双积分技术可以大幅地提高CMOS图像传感器的动态范围.采用列共用采样保持电路的双积分电路和一次采样技术像素相同,仅增加了面积很小的处理电路,在分析该结构工作原理的基础上,提出了高效的时序控制方法.该算法优化了长积分、短积分和信号处理的时序分配,获得了较高的帧频.该算法用可综合的Verilog语言实现,功能仿真和FPGA验证,结果证明了可行性.     

基于压缩感知的低功耗高效率CMOS图像传感器设计

提出一种基于压缩感知的低功耗高效率CMOS图像传感器(CIS)设计.在这种压缩感知CIS中,帧存储、帧差求解和帧压缩等过程分别集成于像素级、列级和芯片级电路中,实现了图像传感过程和图像压缩过程的融合.这种融合提高了CIS在功耗、传输带宽和输出数据等方面的效率.所提出的CIS设计已采用Global Foundries 0...     

广电智能终端操作系统安全模型及技术实现

随着“三网融合”地不断推进,智能终端上承载的内容日趋多样化.如何确保下一代广播电视网络TVOS操作系统在智能电视终端平台上运行的各种数字电视业务的安全性、满足广电运营商对智能电视终端安全的要求是目前急需解决的关键技术问题.操作系统自身的安全尤为重要,本文从技术及安全角度对下一代广播电视网络TVOS智能电视操作系统的安全机制、安全体系架构加以分析论述,提出了广电智能终端操作系统自身的安全模型及技术实现方案.     

基于多尺度分析的多源视频拼接方法

针对多视频源图像的拼接问题,提出基于多尺度分析的图像配准及融合方法。在配准方面,弥补传统的基于 Harris 角点的配准方法对尺度变化不稳定的缺点,使其具有多尺度特性,提取的角点更加稳定精确。在融合方面,采用基于多尺度多分辨率分析的图像融合方法,克服传统空间域图像融合算法在频域上的不足,具有在空间域和频率域的局部化能力,并提供人眼视觉对其比较敏感的强对比度信息。实验结果表明,相比较传统方法,该方法所提取角点更精确、融合效果更好。     

新型大动态范围CMOS 图像传感器双采样像素阵列设计

提出了一种新型双采样结构大动态范围CMOS图像传感器的像素阵列结构。该结构在传统的光电二极管型三管有源像素的基础上，加入了第二列信号处理电路，两列信号处理电路分别处理两次采样。双采样像素结构大幅提高了图像传感器动态范围，同时第二列信号处理电路又保证了高速度。     

应用于CMOS图像传感器的高速列级ADC

提出了一种应用于CMOS图像传感器中的高速列级ADC。采用单斜ADC与TDC结合的方法,先将模拟电压信号转换为成比例的时间段,再通过TDC量化为相应的数字码,其转换时间主要取于TDC的量化范围,解决传统列级单斜ADC转换速率低的问题。设计采用0.18μm CMOS工艺。Spectre仿真表明,在模拟电路3.3 V、数字电路1.8 V的供电电压下,ADC的信噪失真比(SNDR)达到51.2 dB,整体功耗为1.76 mW,列级电路功耗为236.38μW,采样频率为1 MS/s,输入信号范围为1.6 V,满足CMOS图像传感器系统的应用要求。     

SOI高温压力传感器的研究

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性.另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高.