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151.
提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路,并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关,使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35μm工艺设计。仿真结果表明,此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配,温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V~3.3 V、工作温度为-40℃~+70℃且工作在1.8 V常温下时,电路的工作电压为1.144 3 V,总电流为29.13μA,低频处的电源抑制比为-70 dB。  相似文献   
152.
油田测井用压力传感器的研制∀   总被引:1,自引:2,他引:1  
油田测井用压力传感器在温度、量程和封装等方面有着特殊的要求,我们提出了一种新型多晶硅压力传感器,其工作温度高(-20~220°C),压力量程宽(2~30 MPa),具有较高的稳定度(<4×10-4FS/°C).文中多晶硅膜的零点温漂TCR 和灵敏度温漂TCS特性,给出了片内温度补偿的方法.  相似文献   
153.
为了解决视频格式上的差异,格式转换芯片已经成为显示器系统中不可或缺的关键器件.通过加权将具有边缘保持特性的中值滤波算法和时域上场间均值滤波算法相结合,同时考虑了硬件的可实现性和硬件资源的利用率,提出了一种运动自适应去隔行算法.该算法已经通过C模型和Xilinx FPGA验证,并应用于视频格式转换SOC芯片中,给出了该算法的硬件实现框图和系统性能.  相似文献   
154.
多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术   总被引:5,自引:0,他引:5  
列举了几种多晶硅高温压力传感器的热灵敏度漂移补偿方法,并分别讨论了它们的原理及特点。对采用多晶硅热敏电阻器进行补偿的两种补偿方法进行了详细地分析和测试。实验表明,这两种补偿法更适用于多晶硅压力传感器。  相似文献   
155.
基于边缘方向插值的视频缩放算法及电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述了一种沿边缘方向进行图像插值的缩放算法,并提出了基于该算法的一种视频缩放器电路的设计方案。该算法首先对数字视频图像帧采用拉普拉斯算子进行边缘检测,根据视频图像的动态阈值判定边缘区域和方向,得到二值化的帧图像的边缘信息。最后在边缘区域内边缘方向进行相位映射后,进行平行四边形线性插值。该算法的实现电路采用VerilogHDL语言描述,并在基于FPGA的视频处理平台上进行了原型验证。验证结果表明,插值后的图像边界更加清晰,消除了大比例缩放时线性插值的锯齿现象。  相似文献   
156.
TDI型CMOS图像传感器时序控制设计与实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计了1 024× 128时间延迟积分型(TDI) CMOS图像传感器的时序控制电路.基于沿扫描方向的行滚筒式曝光方式、通过增加曝光频率实现了像素间电荷转移的同时性和信号累加的同步性.完成了像素阵列、像素外电荷累加和列级ADC的时序控制电路,相关参数通过I2C总线控制.设计共耗费761个标准逻辑单元,版图大小为125μ...  相似文献   
157.
提出了一种新型双采样结构大动态范围CMOS图像传感器的像素阵列结构。该结构在传统的光电二极管型三管有源像素的基础上,加入了第二列信号处理电路,两列信号处理电路分别处理两次采样。双采样像素结构大幅提高了图像传感器动态范围,同时第二列信号处理电路又保证了高速度。  相似文献   
158.
衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别.将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μm CMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的.  相似文献   
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