全文获取类型
收费全文 | 83篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 4篇 |
金属工艺 | 3篇 |
机械仪表 | 5篇 |
能源动力 | 1篇 |
无线电 | 55篇 |
一般工业技术 | 15篇 |
原子能技术 | 3篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2018年 | 3篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 18篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 11篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有98条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
53.
采用高分辨透射电镜结合振动样品磁强计研究了Fe/Ru多层膜,对不同层厚的Fe/Ru多层膜的界面结构及其对磁性能的影响进行了分析。Fe层很薄时薄膜不连续,岛状分布的Fe颗粒使多层膜显示超顺磁特性。Fe/Ru界面的高分辨电镜观察发现,界面存在粗糙度的不对称性,它是多层膜中产生正磁阻的重要原因。Fe/Ru多层膜的负磁阻在退火后得到较大的提高,表明Fe/Ru多层膜的负磁阻主要来源于界面的粗糙度。 相似文献
54.
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过1V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时,研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。 相似文献
55.
为获得一种开关效应强、响应快且结构简单的光开关,对一种基于二色性染料及聚合物取向的液晶光开关进行研究。通过在垂直配向的液晶中加入二色性染料及聚合物,并在施加偏压的情况下照射紫外光使其发生聚合物取向效应,制得了一种具有电控偏光特性的液晶盒,进而将这种液晶盒按照偏光角度为0°/90°的方式组合为液晶光开关。对所制得液晶光开关的插入损耗、消光比和响应特性进行测试,结果表明,所制得的液晶光开关的插入损耗小于0.6dB、消光比超过13dB,具有较明显的开关效应,聚合物取向的方法则可以消除这种液晶光开关的迟滞现象,使其开关时间降低到20ms以内;通过聚合物取向过程所施加偏压的控制,二选一地,可以进一步减少其插入损耗或开关时间。 相似文献
56.
一种高精度电流检测电路的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对常用电流模式的升压转换器结构,提出了一种高精度电流检测电路。该电路在保证响应速度的前提下,通过增加电路环路增益,降低误差源等方法,提高检测电路的电流检测精度。与其他结构电路相比,有结构简单,响应速度快,电流检测精度高的优点。基于Chartered的0.35μm的3.3V/13.5V CMOS工艺,使用Spectre仿真器,对该电路进行了仿真与验证。结果证明,在输入电压为2.5V~5.5V,电感电流为100mA~500mA,工作频率为1MHz的情况下,能够正常稳定工作,并且电流精度高达93%。 相似文献
57.
58.
59.
60.