六阶级联∑-△调制器的行为级建模

本文基于Matlab Simulink的环境下构建了一个3级6阶(2-2-2)的开关电容∑-△调制器的行为级模型,在考虑了非理想因素(包括时钟抖动、噪声、有限增益、有限带宽、压摆率、饱和电压等)的条件下,对其待性进行分析研究.仿真结果表明:该调制器在采样速率为51MHz时,信噪比为90dB,有效位数达到14bit.     

小子样统计理论及IC可靠性评估

小子样IC可靠性评估方法显得越来越重要,传统的小子样可靠性评估是基于Bayes方法,其主要特点是可充分利用先验信息进行统计推断,近年来发展的支持向量机(SVM)在小子样可靠性评估中具有独特的优势,已在软件可靠性评估和可靠性预测方面取得了重要应用.将SVM与Bayes方法相结合并应用于小子样IC的可靠性评估,将大大节省IC可靠性评估的时间,有效地提高工作效率.     

低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用

多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温（＜600℃）制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积（PECVD）硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。     

基于二色性染料及聚合物取向的液晶光开关的制备及其性能研究

为获得一种开关效应强、响应快且结构简单的光开关,对一种基于二色性染料及聚合物取向的液晶光开关进行研究。通过在垂直配向的液晶中加入二色性染料及聚合物,并在施加偏压的情况下照射紫外光使其发生聚合物取向效应,制得了一种具有电控偏光特性的液晶盒,进而将这种液晶盒按照偏光角度为0°/90°的方式组合为液晶光开关。对所制得液晶光开关的插入损耗、消光比和响应特性进行测试,结果表明,所制得的液晶光开关的插入损耗小于0.6dB、消光比超过13dB,具有较明显的开关效应,聚合物取向的方法则可以消除这种液晶光开关的迟滞现象,使其开关时间降低到20ms以内;通过聚合物取向过程所施加偏压的控制,二选一地,可以进一步减少其插入损耗或开关时间。     

基于施密特比较器的高可靠上电复位电路

设计了一款基于施密特比较器的上电复位电路.采用带隙基准源作为施密特比较器的输入参考电压,使电源监控电路具有更加准确的检测电压.给出一个新型结构的延时电路,与传统的RC延时电路相比,在相同的延时下减小了芯片面积.应用数字辅助延时单元,使复位脉冲宽度可控.基于VIS 0.35 μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压下进行Cadence Spectre仿真.结果表明,在高电源纹波、上电缓慢、快速掉电/上电等极端情况下,该电路均具有较高的可靠性.     

基于非均匀高斯函数的无刷直流电动机模糊控制

采用一种基于非均匀高斯型隶属函数的模糊PI控制算法来实现无刷直流电机闭环调速控制.根据转速误差E和误差变化率EC在控制过程中非均匀分布的特点,构建相应的非均匀高斯型隶属函数模糊控制器来实时调整PI控制器的两个参数KP,KI.并运用Matlab/Simulink结合Fuzzy工具箱实现了对BLDCM系统的仿真.仿真结果表明:基于非均匀高斯型隶属函数的模糊PI控制与普通模糊PI控制相比,具有更好的动态、稳态性能,更强的鲁棒性及更高的控制精度.     

一种低电压恒定跨导Rail-to-Rail的CMOS运放输入级

提出了一种采用了四对差分管来实现跨导恒定的Rail-to-Rail CMOS运算放大器输入级的方法.用两对互补的差分对作为输入级,另两对互补差分对动态地控制输入级工作电流,以实现Rail-to-Rail恒定跨导.通过在电路中加入补偿电流来提高四对差分管工作的协调性.基于TSMC 0.18 μm COMS的工艺,应用Hspice在不同电压、温度环境下进行了电路的仿真验证,结果表明所设计的电路在各种条件下都有较好的性能,其在共模范围内跨导最大偏差小于2%.本文还分析了MOS管二阶效应对电路产生的影响.     

10-bit 10Ms/S流水线A/D转换器的设计

在现有流水线A/D转换器设计的基础上,应用电荷泵改进了MOS模拟开关的性能,运用宽带运算放大器提高了电路速度,引入底极板采样和数字校正技术来提高精度,采用动态比较器实现较低的功耗.设计实现了一个10-bit 10Ms/S流水线A/D转换器,并以TSMC 0.35 CMOS工艺的Bsim 3v3模型用HSPICE对电路的性能进行仿真验证,结果表明其各项性能均达到预期的设计要求.     

曲面超声换能器近声场指向性研究

通过结合物理声学原理推导出曲面结构及其等效动态相控阵列超声换能器所形成的近声场分布,并利用数学软件对超声近场声压进行近似数值仿真。通过分析比较各声场指向性的仿真结果表明,在给定的工作频率和介质条件下,对比于平面结构,二维半圆球壳的曲面压电晶片或等效相控阵元阵列结构的超声换能器在近声场可实现高强度聚焦,同时近声场焦点处的横向/纵向分辨率都达到最佳,旁瓣/栅瓣抑制也达到最大。最后给出了在曲面阵列优化设计方面一些有价值的规律。     

EAST托卡马克的中性束注入方案

高能中性束注入(Neutral beam injection,NBI)是核聚变装置托卡马克采用的芯部辅助加热和非感应电流驱动主要手段之一.本文介绍了国家大科学工程全超导托卡马克实验装置(Experimental advanced super-conductingtokamak,EAST)上的高能NBI加热方案及注入器的工程要求,并讨论了中性束在EAST等离子体中的传输等相关问题.