Cr2O3改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．     

改性PbTiO3压电陶瓷各向异性的研究

以改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷的结构为基础，对其各向异性进行了探讨。认为产生大的压电各向异性在于其钙钛矿结构ＡＢＯ３中Ａ位取代离子的特定离子半径和电子态。并依据一些实验现象进行了分析。     

红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术

通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。     

常温高性能PMN-PMS-PZT热释电材料

研究了组分改变对PMN-PMS-PZT(铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅)热释电陶瓷材料的相组成、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果进行了分析.实验结果表明:通过改变材料Zr/Ti的比例,在陶瓷介电常数εr和介电损耗tanδ变化不大的情况下,使得热释电系数的峰值向室温附近移动;在Zr/Ti=95/5时,常温(28℃)下介电常数占εr=228.5、介电损耗tanδ=0.23%,热释电系数P=25.5×10-4C/m2℃,探测率优值FD=47.3×10-5Pa-1/2,此类材料符合制作热释电红外探测器的要求.     

碳纳米管和石墨烯与聚偏氟乙烯复合的PTC特性

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基材,分别以多壁碳纳米管(MWCNT)和石墨烯微片(GNS)为导电介质,采用流延法制备了厚约120μm的MWCNT/PVDF和GNS/PVDF复合材料厚膜。通过阻抗测试和微观分析,研究了复合材料的电导率和PTC性能随导电介质含量变化的规律。研究结果表明,GNS/PVDF和MWCNT/PVDF复合材料的电导率均随着导电介质含量的增加而增大,相比而言,MWCNT/PVDF复合材料具有更好的亲和性和更高的PTC强度,且PTC强度随着导电介质含量的增加先增大后减小,当MWCNT的质量分数为2.5%时,MWCNT/PVDF复合材料的PTC强度获得最大值4.0。     

应用于压电能量收集器的PZT PZN系陶瓷材料

压电材料作为环境振动能量收集器的核心功能材料,是制备高性能能量收集器的关键。该文从提高能量收集效率入手,研究适合于能量转换的高性能压电陶瓷材料。采用两步合成工艺制备出了0.7Pb(Zr0.51Ti0.49)0.99O3-0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(PZT-PZN)压电陶瓷,研究了La2O3掺杂对其微观结构和机电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的La2O3能显著提高PZT-PZN陶瓷的压电系数(d33)、机电耦合系数(k31、kp)、介电常数(εr)等。当掺杂量为4%(摩尔分数)时,在1 200℃烧结PZT-PZN,显示出良好的压电和介电性能:d33=560pC/N,k31=0.376,kp=0.642,s1E1=16.5×10-12 m2/N,εr=3 125。     

Ba1-xSrxTiO3热释电梯度厚膜的制备和介电性能研究

钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料.采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜.厚约5 μm.研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能.X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料.扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2.     

PTCR热敏电阻老化特性的研究

本文研究了马达启动器用ＰＴＣＲ热敏电阻三种电有形式在不同环境下的室温阻随时间变化的老化规律，对所得的曲线进行了解释，并集中讨论了电极的老化，指出了不同应用条件下的最佳电极形式。     

TiO_2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响

为了研究TiO2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响,采用改变TiO2掺杂量的方法,对不同TiO2掺杂量的PTCR启动器恢复特性进行了研究。结果表明,在一定的掺杂范围内,随着TiO2添加量的增加,PTCR材料的电阻温度系数a 从34.95%℃1减小到29.67%℃1,升阻比b 值从4.0106增加到4.3106,启动器恢复时间从60 s减小到54 s。     

PTCR过流保护器的电流冲击失效特性

研究了ＰＴＣＲ过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理，指出ＰＴＣＲ过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂，元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理，推荐最佳的ＴＣ＝９０℃，Ｒ２５＝１８Ω±２０％，芯片尺寸为６．８ｍｍ×１．６ｍｍ，烧成条件为１３２０～１３４０℃，保温１～２ｈ。对产品设计和元件的筛选有指导意义。