压力传感器灵敏度电压非线性分析

实验发现压阻型压力传感器的压力输出信号与外加电压并不是线性关系,存在着灵敏度电压非线性。本文指出组成压阻型压力传感器电桥的电阻受温度、输入电压、压力的共同影响,在此基础上提出非线性扩散电阻的多维模型。依据此理论模型,对灵敏度电压非线性现象的成因进行了理论分析,并利用其中受电压控制的电压源及其扩展功能来模拟非线性扩散电阻在电路的等价作用,进而显示出压力传感器灵敏度电压非线性的成因。     

非线性函数规范化多项式拟合的精度分析

多项式可用于非线性信号的拟合,关键在于求解其各项系数.对于任何非线性函数,文献[1]提出一个规范化的拟合方法,本文主要讨论了小数点位数和阶数的选取对规范化多项式拟合精度的影响     

硅的电阻率温度系数～电阻率关系几种拟合方法的比较

本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB 3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比.结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB 5次曲线最为逼近.     

绘制硅单晶电阻率等值线的Mapping技术

用斜置式四探针测定了硅单晶片(Ф75mm)上3mm间距测试点的电阻率分布.本文从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分隔数和差值,采用指数函数作为模糊集的隶属度,并且选择合适的门槛值,利用模糊数学将电阻率数据归类于不同的模糊集.同一模糊集对应相同的电阻率,这样使电阻率能以一定的间隔分布,然后结合MATLAB软件画出电阻率等值线,以构成Mapping图.在同一等电阻率线条上各点具有较小的阻值偏差,且剩余未连接点少.连接质量好,可以应用于指导实际生产.     

界面态对用高频C—V 法测定P/P~ 外延层中杂质纵向浓度分布的影响

硅外延层上的自然氧化层中的界面态,使汞—硅接触肖特基二极管反向偏置 C—V 特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误差。当正向偏置电压为自建电势0.6V 时的归一化电容值如果明显偏离按外延层杂质浓度和自然氧化层厚度计算出来的平带电容值,就判明有界面态存在。将样品在化学纯氢氟酸中漂洗7分钟以上即可使界面态减少到不可察觉的程度,然后再进行 C—V 测量,可保证测定结果的正确性。     

在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析

用有限元法计算了用Ｒｙｍａｓｚｅｗｓｋｉ公式测量矩形样品薄层电阻时的理论误差与针距及其游移度、探针离开边界距离的关系；找出了实际测量时误差小于±３％可放置直线四探针的中央区宽度，并给以实验验证．这将对小矩形样品薄层电阻的测量有实用价值．同时对利用无限系列镜像源理论证明得出小矩形样品的方块电阻测量不受样品边界和探针游移的影响的新方案提出了异议．     

非线性函数规范化多项式拟合精度分析

多项式可用于非线性信号的拟合,关键在于求解其各项系数。对于任何非线性函数,文献[1]提出一个规范化的拟合方法,本文主要讨论了小数点位数和阶数的选取对规范化多项式拟合精度的影响     

无位错硅晶体中点缺陷络合体的结构和电子态的描述及其检测

本文综述了点缺陷络合体对半导体性能的影响,指出研究点缺陷络合体的重要性。又利用群论阐明了点缺陷络合体结构的对称性以及络合体简振模和电子轨道与对称性的关系。最后述评了红外吸收和电子顺磁共振吸收检测点缺陷络舍体,因而络合体中的原子配置和电子轨道结构可以测定出来。     

自平衡电桥激励的压力传感器零点输出信号的电漂移特性

本文详细的分析了自平衡电桥激励的压力传感器的输出信号U与桥电压V_e、供电电压V cc及流体压力P之间的关系,并指出,不仅对桥电压而且对总激励电压都存在零点电漂移.在U~V_cc、P的三维空间表达了三者之间典型关系曲线.在U₀|_Vcc0=0的等势面(V_cc0)上显示出高的压力灵敏度,而在U₀/U_cc=0的等势面(≈ 1 2 V_cc0)上,压力灵敏度则低的多.建议零点输出的电漂移应作为压力传感器的一个特性指标.     

一种新型智能气敏传感器及其无线数据传输系统的实现

本文介绍了一种具有无线传输功能的智能气敏传感器系统.该系统将具有ARM7(Advanced RISC Machines 7)内核的LPC2131应用到测量气敏元件阻值及其所处气体浓度的测试电路的测量仪器中,实现了气敏传感器的智能化.另外将无线收发芯片nRF403应用于该系统,实现测量系统所测数据的无线传输,用户可在接收端对系统进行控制.该系统避免了复杂的现场连线,应用灵活,提高了工作效率,降低了工作成本.