面向PDP显示的数字逻辑电路及其设计

等离子体显示板(PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术,其驱动技术一直是研究热点之一.文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上,针对交流(AC)型PDP在ADS驱动方式下对图像数据的处理和对驱动状态的控制,提出一种面向PDP显示驱动的数字逻辑系统设计方案,并对方案中主要模块的功能、设计思路及存在的挑战进行了说明.最后,结合实验屏的驱动电路进行了逻辑设计仿真和系统验证.文中提出的数字逻辑设计方案对进行PDP显示驱动控制系统设计和相关专用集成电路设计具有重要的借鉴意义.     

320×256阵列红外焦平面读出电路的设计

提出一种320×256阵列红外焦平面读出电路,采用直接注入模式,具有多路输出、读出顺序可选等功能。具体设计了各个模块电路,并采用chartered 0.35μm工艺进行流片设计。实测结果表明所设计芯片输出摆幅为3.24 V,输出电压线性度为97.15%,功耗为32 m W,具有丰富的读出功能。     

PDP驱动芯片用RSDS接口电路设计

介绍了一种基于RSDS(减小摆幅差分信号传输)信号传输标准的PDP驱动芯片用接口电路设计,它包括PMOSFET输入CMOS差分放大器和电压源偏置电路.文章重点讨论了PMOSFET输入CMOS差分放大器的差模工作原理及影响其差模增益的因素.Spectre仿真结果表明,本文设计的RSDS接受器电路在输入信号频率为200 MHz的情况下能正常工作,实现了由RSDS信号转换为LVCMOS信号的功能.目前该接口电路已经应用于一款PDP驱动芯片中,作为高速数据传输接口.     

开关功率变换器中的间歇现象 ——仿真与实验

 文章从电路耦合滤波的角度考虑,分析了一类间歇分谐波与间歇混沌现象产生的原理,确定耦合电路传导和辐射干扰是产生该现象的根源,并构造了一个开关变换器模型作为研究对象,仿真与实验均得到了相似的非线性现象,同时对不同的电路参数集,讨论并分析了其对间歇现象产生所起的不同影响,为变换器的稳定设计提供信息.该研究方法也可推广到其他非线性电路系统的类似研究中.     

硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进

在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。     

TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析

采用TCAD Sentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性.包括NMOS的栅长,栅氧化层厚度,栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响.分析表明,器件栅长增加,栅氧变厚,栅宽变宽都使得漏端过冲电压增大,达到这一电压所需时间变长.对于相同上升时间的TLP脉冲,大电流则对应短的上升时间和高的过冲电压.该工作为以后高响应速度ESD保护器件设计提供依据和参考.     

仙客来

仙客来是冬季优良的室内观赏花卉,花色丰富,花型奇特。经过几百年的杂交选育,仙客来现有几十种单色和复色,花瓣也有平瓣、波瓣、重瓣、皱边等形状,花期长久。仙客来的花期很长,单朵花可持续20天左右,进入开花期,花蕾连续开放,每盆花可有50～100朵,花期持续3～5个月之久。仙客来花期一般从元旦开始、经圣诞节、春节、一直可延续至五一节。播种萌芽期管理:基质要求通气性良好的泥炭和珍珠岩,按3:1的比例     

4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜（High-Resolution Transmission Electron Microscopy ,简称HRTEM）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottky ,简称JBS）在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究了结终端扩展区（Junction Termination Extension ,简称JTE）的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压（Maximum Surge Peak Reverse Voltage ,简称VRSM）的影响,并结合JBS的基本结构对其进行优化设计;最后,流片测试显示优化设计的4H-SiC结势垒肖特基二极管的VRSM值约为1450V,比原器件提升了20%左右。     

一种基于亚阈值MOSFET的140mV 0.8μA电压基准

——本文提出了一种基于亚阈值MOSFET的CMOS电压基准电路,它采用了与温度相关的阈值电压、峰值电流镜和亚阈值技术。此基准结构只由MOS晶体管和电阻组成,已经在SMIC 0.13μm CMOS工艺线上通过了流片验证。实验结果表明,基准电压输出在电源电压从0.5V变化到1.2V时具有2mV的变化,温度从-20℃变化到120℃时具有0.8mV的变化。该电路在室温时输出140mV,并且消耗电源电流仅为0.8uA,芯片面积占有0.019mm²。     

一种具有快速动态响应的新型数字PFC控制器

本文设计了一款新型基于DCM工作模式的全数字PFC控制器,主控制采用了分段自适应PI控制策略,可根据负载、输入电压等的变化实时改变控制参数,不但能够提高系统的抗扰动能力,而且使得系统具有快速的动态响应性能。辅助控制引入了一种新颖的启动电流尖峰抑制策略,该策略基于工作模式控制,通过限制最大占空比使得电路工作在电流断续模式,在充分抑制启动电流尖峰的同时提供了足够的能量,保证了系统快速启动。实验结果表明,所设计的数字PFC系统在输入电压110~230V、最大输出功率140W的测试环境下,最大PF值为0.995 8,最大效率为95.68%。测试中系统启动时间均小于10个工频周期,无电压超调及启动浪涌电流。负载切换的响应时间最大179ms,最小21ms,过冲电压10%~20%。