SiC二极管对PFC系统性能提升的应用分析

功率因数校正( PFC)变换器是电源系统中重要的组成部分.由于受限于传统Si二极管这一瓶颈,使得目前PFC系统中还存在效率低、开关损耗大、散热器体积大、开关管和二极管电压、电流的开关应力大等一系列问题.针对上述问题,对PFC变换器中开关管和二极管的瞬态波形及开关损耗进行了深入分析,并在此基础上,采用SiC二极管代替传统Si二极管,设计了一款220 kHz 600 W PFC变换器样机,通过实验测试和理论分析,对比了两者对PFC系统中关键参数的影响,验证了在PFC变换器中使用SiC二极管对系统各方面性能的提升,解决了传统Si二极管在PFC系统中的不足.     

平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法

详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。     

时令花卉专篇:仙客来

仙客来是冬季优良的室内观赏花卉,花色丰富,花型奇特.经过几百年的杂交选育,仙客来现有几十种单色和复色,花瓣也有平瓣、波瓣、重瓣、皱边等形状,花期长久.仙客来的花期很长,单朵花可持续20天左右,进入开花期,花蕾连续开放,每盆花可有50～100朵,花期持续3～5个月之久.仙客来花期一般从元旦开始,经圣诞节、春节,一直可延续至五一节.     

非对称ZVS Zeta变换器及其驱动控制电路研究

针对一种非对称零电压开关(ZVS)Zeta变换器,通过分析它在连续导电模式(CCM)模式下的各工作状态,论述了其获得ZVS特性的原理,并进行了稳态公式的推导。在此基础上,提出了一种适用于该变换器特点的新型驱动控制电路,包括互补PWM信号产生电路、功率MOS管栅浮置驱动电路、适用于高压输出的采样反馈电路。将该变换器及其控制驱动电路应用于200 V/1.5 A输出的实际电源中,测试结果很好地验证了所述内容的正确性和可行性。     

无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管,提出一种纯MOS结构的基准电压源,其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明,在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5ppm／℃。在室温时,整个电路能在低到0．9V的电源电压下工作并消耗0．68μW的功耗。     

500 V耗尽型NLDMOS器件研究

基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法.分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压.在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路.     

不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

本文详细研究了不同栅压应力下1.8V pMOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得pMOS漏极饱和电流(I_dsat)、漏极线性电流(I_dlin)及阈值电压(V_th)等性能参数退化量逐渐增加,但在V_gs=90%*V_ds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向I_dsat退化小于反向I_dsat退化,然而,正反向I_dlin退化却相同,这是因为I_dlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.     

从栽跟头吃苦头到尝甜头走前头

日前,山东莱州市一家村办企业成为全省首家达到国家二级安全质量标准化的村办企业。这家企业就是莱州市环日集团阀门制造有限公司。说起该企业此次安全质量标准化复审验收,还有一段耐人寻味的故事。     

读出电路中的开窗口读出方法实现

主要研究了一种应用于读出电路中的开窗口读出方法.详细描述了开窗口读出电路的工作原理,电路功能和逻辑设计,并通过计算机仿真验证了电路设计的正确性.该方法可以实现任意开窗,即从指定像素开始读出,窗口大小、起始地址和读出顺序均可控;不但可以满像素输出保持大的视场,而且可以任意指定图像中的一个区域开窗口读出,大大提高了图像输出的速率.     

基于ANSYS的TO-220封装功率器件热特性校准及优化设计

针对TO-220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层面积、芯片相对于基板位置以及基板面积与散热效果的关系。分析结果表明,焊料层面积大小对散热基本没影响,芯片在粘片工艺中应尽量把芯片放置在中间往下方位置,而基板面积越大,芯片散热效果越好。