PDP驱动芯片用能量恢复电路的设计

主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0.5μm CMOS工艺下得到实现.仿真结果表明这种能量恢复电路不仅可以显著降低驱动芯片的能量损耗,并且具有结构简单的特点,目前被应用于一款等离子电视的列驱动芯片中,降低芯片功耗,提高芯片工作的稳定性.     

一种新型凹源HV-NMOS器件研究

设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。     

P型对称LDMOS的静电泄放响应曲线研究与优化

The ESD response characteristic in a p-type symmetric lateral DMOS （ps-LDMOS） has been investigated. The experimental results show that the ps-LDMOS has weak ESD robustness due to an absence of the ＂snapback＂ characteristic. In addition, the location of the hot spot changes little for the special device. The method for reducing the lattice temperature of the hot spot can be used to enhance the ESD capacity of the ps-LDMOS, thereby, a novel and easily-achievable ps-LDMOS structure with a p-type lightly doped drain （p-LDD） has been proposed. The special region p-LDD lowers the electric field at the edge of the poly gate, making the whole dis- tribution of the surface electric field more uniform. Therefore, the ESD robustness is improved two times and no obvious change of other electric parameters is introduced.     

SOI LDMOS栅漏电容特性的研究

借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOI LDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法.     

一种测试功率MOSFET热阻的新方法

阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。     

钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响

针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠性得到了有效的改善。     

高可靠性P-LDMOS研究

分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则--拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.     

平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容

功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能．本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性．在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件．将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%．     

开关功率变换器中的间歇现象--理论分析

鉴于间歇分谐波与间歇混沌的产生可以从电路耦合滤波的角度进行合理的解释,则可以此为基础,用参数域上的分叉来映射时间域上的分叉,从而使得可以用一般的特征值分析方法(针对参数分叉)来实现变换器中间歇现象的分析(针对时间分叉),特征值、分叉图及最大Lyapunov指数均表明得到的研究结果与仿真及实验是完全一致的,这样便从理论上证明了变换器中间歇现象的产生是由于电路中耦合了寄生干扰信号这一设想.     

用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5％,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.