移相掩模技术

对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2～0.3μm LSI的设计。     

最新版本的RF和微波设计软件

据《WirelessTech》2006年第3期报道,安捷伦公司开发了最新版本的GENESYS2006RF和微波设计软件。该软件通过文件格式导入功能、提高和改善了仿真、调谐、优化和集成的功能。GENESYS可用来开发各种产品,如蜂窝电话、雷达系统、卫星系统、移动基站、有线电视系统等射频识别和无线网络产品。也可用于高频设计,如系统结构设计和分析、线性仿真、非线性和电磁仿真,综合RF电路板和微波IC布局设计等。最新版本的RF和微波设计软件@孙再吉     

用MEMS开关改善可变RF放大器性能

据《日经微器件》2006年第8期报道,NTT DoCoMo研究机构开发了使用MEMS开关,可适应从900MHz到5GHz范围内四个频段的可变RF放大器。在技术性能改善方面突出了下列几点:1用一个放大器件使可适应频段由原来的两个增加到四个;2可适应频段的上限由原来的1.9GHz提高到5GHz;3可适应的四个频段的功率最大效率均在45%以上。用MEMS开关改善可变RF放大器性能@孙再吉     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。     

0.13μm超高性能CMOS晶体管

据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源电压 1 .8V下达到了目前最高的电流驱动能力 ( n沟道晶体管为 81 0 μA/μm,p沟道晶体管为 42 0 μA/μm)。此外 ,实现了每 1单位电路 1 2 ps的迟延速度 (电路中包含晶体管自身的寄生电容 )。这一器件的开发成功将大大推进大容量数据高速处理系统 L SI的规模生产。0.13μm超高性能CMOS晶体管@孙再吉     

47GHz SiGe-MMIC振荡器

据《’99IEEE MTT- s Digest MO1 A- 1》报道 ,德国戴姆勒·克莱斯勒研究中心和柏林弗尔南得·布朗大学共同研制了采用 Si Ge- HBT MMIC的 47GHz振荡器。该振荡器的输出功率为 1 3.1 d Bm,效率为 1 3.6 % ,距载波 1 0 0 k Hz的相位噪声为 - 99.31 d Bc/Hz。其结果对 Si Ge- HBT振荡器而言是相当优异的。Si Ge- HBT的特征频率 ( f T)为 1 2 6 GHz,最大振荡频率 ( fmax)为 1 6 0GHz图　 4 7GHz振荡器图示Fig.　 Photo of the4 7GHz oscillator47GHz SiGe-MMIC振荡器@孙再吉…     

SOI结构MOSFET

据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道,日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ,栅长为０．５μｍ,栅宽为０．８ｍｍ,ＲＦ特性为２ＧＨｚ,１９ｄＢｍ,ＰＡＥ为６８％,工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐（Ｈａｒｍｏｎｉｃｔｕｎｉｎｇ）来提高附加效率和降低输出电容。其ＲＦ特性为１．８ＧＨｚ,０．５Ｗ（２７ｄＢｍ）,ＰＡＥ为７１％和３．５Ｖ的工作电压,已接近ＧａＡｓ高频器件的性能。SOI结…     

低温Poly-Si TFT反射式彩色LCD

据报道,日本索尼公司开发了可输入ＲＧＢ数字信号的１０ｃｍ和２２ｃｍ低温ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ反射式彩色ＬＣＤ。该器件的对比度（１７：１）和反射率（３０％）在同类产品中是最好的。该器件由于把周边电路与显示器做在同一块玻板上,而实现了高精密和小型化要示,因采用无需背光源的反射式,而实现了显示器的薄型要求并降低了功耗。在该ＬＣＤ的各个像素表面采用了新开发ＲＭＰ（ＲａｎｄｏｍＭｕｌｔｉ－ｐｒｏｆｉｌｅ）结构的扩散反射电极,故获得了３０％的高反射率。此外,该公司开发了ＢＤＭ（ＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅＤｉｓ…     

英飞凌功率半导体市场的头号供应商

据报道,英飞凌科技股份公司连续7年高居全球功率半导体和模块市场榜首。据IMS Research最新报告,全球功率半导体市场规模缩减21.5%,由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减,但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位,市场份额上升1.3个百分点,达到24.3%;在北美和南美地区,其市场份额     

日本第六代战机计划

据报道,日本防卫厅计划开发具有超强抗隐身能力和定向能武器的第六代有人战斗机。第六代战机计划的i3项目将在2021年全面展开,之前要经过至少10年的技术储备。日本第六代战机计划2030年装备部队。防卫厅计划在2011年4月启动i3项目。i3战机将可取代F-2战机。之前将耗资1.24亿美元来升级36架F-2战机。可发射三菱电机的AAM-4导弹。