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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1998,(3)
据日本《SemiconductorWorld》1997年第3期报道,美国TI公司新开发了一种演算能力高达1600MIPS高效编程能力的数字信号微处理器(DSP)。该处理器1个循环可同时实行8个命令,进行二次固定小数点的乘法和加法运算。在200MHz工作频率下具有1600MIPS处理能力和400M乘法和加法运算/秒,比原同类产品的性能提高10倍。200 MHz下处理能力为1600 MIPS的微处理器@孙再吉 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
20Gbit/S直接检波式光纤传输系统据日本《日经》1994年第2~28期报道,在光纤通信的LSI中,最近美、日等一些公司相继发表了20Gbit/S的超高速光纤传输的LSI芯片开发情况。大致介绍如下:东芝公司开发了20Gbit/8的直接检波式光纤传输... 相似文献
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ANADIGICS公司研发的AWC6323、AWU6601功率放大器(PA)波应用于三星公司新型产品GALAXY Tab。AWC6323是ANADIGICS公司的一款3×5×1 mm的双频CDMA功率放大器,采用InGaP HBT MMIC制造技术;AWU6601集成了可级联连接的定 相似文献
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Cree的SiC MESFET及GaN(on SiC)HEMT微波功率放大器件:SiC MESFET/CRF240xx:频率为DC~2.7 GHz、工作电压为28~48 V,输出功率为10/60 W两档。宽带、高可靠及耐高温性能优异。GaN HEMT/CGH400xx:GaN HEMT的宽带系列,频率为DC~4 GHz(CGH40010、CGH40025及CGH40035为6 GHz),工作电压为28 V,输出功率有10/25/35/45/90/120/180 W七档。宽带性能优异,可靠及耐高温性能好,产品 相似文献
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据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,为了实现雷达系统的多用途、高性能,其关键是大功率T/R组件的研发。为了实现这一目标,东芝公司开发了GaNHEMT放大器的收发组件。该组件采用16个GaNHEMT器件,使其发射功率达到480 W。该公司下一步目标是开发雷达系统必需的接收、控制功能和实现雷达系统的小型化。这一成果将应用于各种雷达系统。 相似文献
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据报道,日本NEC公司成功地开发了蓝、绿色256×64点阵的有机EL显示器。在绿色显示情况下,阵列单元的峰值亮度可达40000cd/m~2以上,即使在负载1/64的单阵驱动下,也可获得600cd/m2以上的高亮度。从寿命角度考虑,平板亮度设定为200cd/m2,这时功耗为0.23W,亮度半衰寿命可达10000h。蓝、绿色显示器的尺寸为84.5mm×21.1mm,平均厚度为3mm,包括FPC连接线的重量为18g,点节距为0.33mm。该公司将对该器件的结构、材料、制造工艺等全面进行研讨,进一步利用… 相似文献
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作为毫米波器件应该在毫米波段(30GHz以上)满足大功率、高增益、低噪声的要求。由于毫米波应用范围较小,主要是近距离的雷达系统、通信系统等微小型组件。所以其输出功率只需要几毫瓦(雷达、LAN),充其量100mW(信息通信系统)。从小型天线系统的角度来看,应满足3dB左右的噪声系数。作为个人应用市场的大小,关键还是在于降低成本,从而达到轻量,小型化的目标。为此,必须实现芯片的高/多功能化,即分立器件的MMIC化。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
GaAsFET高输出放大MMIC据日本《电子技术))1994年第6期报道,日本三菱电机公司开发了高效率的MMIC,用于模拟便携电话的发射系统。由GaAsFET两级放大器构成,在3.4V低压情况下,输出功率为31dBm(典型),效率达60%(典型),其... 相似文献
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