排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
孙凤云张恩诚郭峰旗梁衍宇陆佳梁尚文硕 《微纳电子技术》2023,(10):1684-1690
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,二水合钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,采用水热法合成纳米氧化钨(WO3)。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)对WO3的表面形貌、晶体结构和化学成分进行表征,测试其对乙二醇甲醚的气敏特性,研究CTAB对WO3的形貌、晶体结构和乙二醇甲醚气敏特性的影响。结果表明,CTAB可调控WO3的形貌,添加质量分数5%的CTAB不仅将WO3的形貌由不规则的纳米颗粒调控为疏松的纳米片状,而且提高了其对乙二醇甲醚的气敏特性,在最佳工作温度370℃下其对体积分数为1×10-4的乙二醇甲醚的响应值达15.1,并且具有良好的重复性、长期稳定性与气体选择性。最后探讨了WO3对乙二醇甲醚的气敏机理。 相似文献
22.
从80年代初我国自行研制单板机系列、STD总线技术,随后又联合开发工业PC系列产品,至今已有十余年的历史。这些产品的开发和应用既为我国传统企业的设备改造做了大量的工作,极大地提高企业自动化控制水平,又培养了一批从事工业自动化的技术精英和技术骨干。至今... 相似文献
23.
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA/cm^2,腐蚀时间为30min时.所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10^-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。 相似文献
24.
机载视频记录系统发展研究 总被引:4,自引:1,他引:3
针对开始广泛使用的机载视频记录系统的国外状态,指出现有的主要问题,指明了机载视频向数字化方向发展。提出了使用要求及我国发展的建议。供火控总体及相关专业参考。 相似文献
25.
26.
27.