交流和直流脉冲等离子体改性聚四氟乙烯对比研究

利用自行研制的直流脉冲电源和交流脉冲电源产生等离子体, 分别对聚四氟乙烯进行了表面改性研究.在放电电压、占空比、工作气压、工作气氛、处理时间相同的情况下,探讨了直流脉冲和交流脉冲等离子体对样品改性效果的不同影响;通过接触角测量、扫描电镜(SEM)等手段对未处理的、直流脉冲和交流脉冲作用后的亲水性、表面形貌进行了检测和分析.结果表明:交流脉冲等离子体对PTFE的改性效果优于直流脉冲等离子体.     

中频交流脉冲等离子体源的研究

采用中频交流脉冲等离子体源进行了抑制弧光放电和空心阴极效应以及离子渗氮工艺的实验。结果表明,交流脉冲放电在抑制弧光放电和空心阴极效应方面是非常有效的,对于高铬钢材料表面的离子渗氮作用是明显的。它为解决材料表面处理中的难点(小孔、深孔、狭缝的处理)提供了一种新的探索方案;也为等离子体技术应用领域中处理不导电的基体或薄膜以及磁控溅射新工艺(交流孪生溅射技术)提供了研究设备。     

等离子体表面处理用脉冲电源

本文阐述了脉冲辉光放电的特点，介绍了我们研制的等离子体表面处理用脉冲电源的原理、电路特点和脉冲离子渗氮应用情况。     

基于VB的自动控制系统通信程序设计

文章介绍了利用Visual Basic中通信控件MSComm编制的上位机串行通信实用程序,完成了离子渗氨工艺过程自动控制系统中PC机与单片机之间的数据通信。     

大气脉冲放电等离子体电子温度的研究

设计了一种在大气下脉冲放电产生毫米量级等离子体柱的裴置，采用延时光谱法，用3．5kHz直流脉冲电源在气液界面放电，产生等离子体，对其进行了时间分辨光谱研究．根据大气脉冲放电等离子体的光谱图，测量和计算了等离子体的电子温度，并考察了其随放电峰值电压和时间变化的关系．结果表明：电子温度随电压的升高而增加，随时间延长先增大后减小．     

等离子体渗氮工艺自动控制系统方案与设计

针对等离子体渗氮工艺过程特殊,控制量变化复杂,人为因素影响较大等情况。利用自行研制的大功率直流脉冲电源进行等离子体渗氮,在很大程度上解决了物理参数与工艺参数的耦合问题,同时改善了灭弧性能,为渗氮工艺自动控制提供了可能。因此,提出了一种利用智能仪表、上位机进行主从式控制等离子体渗氮工艺的自动控制方案,实验结果表明：该渗氮工艺控制系统可以较好地实现渗氮工艺过程控制,提高了自动化水平,增强了工件渗氮效果。     

有机光电器件ITO阳极表面改性及其时效性研究

采用射频氧等离子体(RFOP)处理对氧化铟锡(ITO)薄膜表面进行改性,通过原子力显微镜、X射线光电子能谱、X射线衍射仪和接触角仪等测试表征,研究了改性对ITO表面性质的影响。实验结果表明,RFOP处理优化了ITO表面的化学组分,提高了ITO表面的平整度,改善了ITO表面的物理化学性质。同时,通过接触角监测和表面能计算,研究了ITO表面RFOP改性的时效性,结果证实,ITO表面优化后的物理化学性质随存放时间增加而逐渐退化。另外,采用改性后不同存放时间的ITO衬底作为阳极,制备了有机发光器件,通过测量光电特性,进一步研究了ITO表面性质对器件性能的影响。     

电极性质对异质结OLED光电性能的影响

采用空热蒸发技术制备了结构为ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine (NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum (AlQ)/Mg-Ag/Al的异质结结构有机电致发光器件(OLED),研究了ITO电极性质对OLED器件启亮电压、驱动电压、发光亮度和发光效率等光电性能的影响.实验结果表明,电极性质显著影响OLED器件性能,优化的电极性质通过改善电极与有机层之间的界面特性,从而改善器件的光学和电学性能.     

阳极氧化法制备TiO2纳米管及特性研究

采用单向直流脉冲电源阳极氧化方法,在乙二醇 0.5%(wt)NH4F的电解质溶液中,在电压为40～60V之间制备了直径为90～142nm、管壁厚度为21.8～17nm的TiO2纳米管.对阳极氧化过程中加入和不加超声波辅助条件进行了对比实验.通过对试样的SEM测试和阳极氧化过程中数字万用表不间断采集得到的平均电流表明,TiO2纳米管的形貌、生长速度密切依赖于氧化处理的电参数和超声波辅助源.同时通过XRD和UV-Vis等检测手段对TiO2纳米管退火前后的特性进行了研究.     

沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究

为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以（NH4）2HPO4和Ca（NO3）.24H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明：此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。