GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦合掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平台上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡．观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ．这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围１４～３００Ｋ内始终存在．经分析发现：由于垒层仅有２ｎｍ，电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多．在温度低于３００Ｋ时，超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿．这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因．由于实现振荡所施加的偏压比较低（在室温下偏压范围大约为     

磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加

在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.     

磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加

在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.     

空间有序的量子点超晶格的红外吸收

利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直人射吸收峰,中心响应波长在11μm.作为对比,在低温下(480℃)生长了相同的结构,傅里叶变换红外光谱几乎没有测量到明显的垂直入射吸收峰.高分辨率X射线双晶衍射测量表明高温生长的量子点超晶格具有更好的晶体质量,原子力显微镜测量表明在高温540℃下生长的量子点具有明显的横向有序;而在低温480℃下生长的量子点并没有显示出横向有序.在进行垂直入射的吸收测量时,为了扣除量子点超晶格的周期结构带来的干涉效应,提出使用生长条件完全相同但量子点区没有掺杂的样品作为背景,提高了测量的准确性及分辨率.结果表明空间有序的量子点超晶格结构比空间无序的量子点超晶格更适宜作红外探测器结构.     

甲醇制烯烃过程中急冷水旋流分离器的应用与检修

简要介绍了全球第一套商业化的甲醇制烯烃(MTO)生产装置中的急冷水旋流分离器的工作原理、设备结构、工艺作用、操作注意事项和急冷水澄清浓缩的工艺过程。根据神华检修现场的情况,分析了急冷水旋流分离器发生故障的可能性,并对堵塞旋流分离器的检修方法与过程进行了总结,以供同行借鉴参考。     

浅析Baker和Halliburton的双管封隔器

概述了美国Ｂａｋｅｒ和Ｈａｌｌｉｂｕｒｔｏｎ公司生产的双管封隔器的结构特点、工作原理、性能对比和使用中应注意的事项，对其不足之处作了分析。     

多结点样条函数中广义逆的应用

在样条函数插值问题中,构连基函数的方法是各式各样的。而且,基函数本身特有的性质,又直接关系到插值曲线的性质。作者在文献〔4〕中建立了基函数与一类广义逆之间的一一对应关系。本文在文献〔4〕的基础上,以三次基函数为例,借助广义逆,考虑到对插值曲线的光滑度的不同要求,具体构造相应的基函数 L_3(t),在保留了基函数 q_3(t)具有有限跨度的优点外,又进一步缩小了有限跨度,使计算量又进一步减少。