一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA

高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13m RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz,最大增益为21.8 dB、最小增益8.2 dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7 dB,典型的IIP3为-7 dBm。     

S波段单片有源压控滤波器

Ｓ波段单片有源压控滤波器孙晓玮，罗晋生，周宗闽，曹金荣，林金庭（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ４５４ＴＮ７１３Ｓ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＶｏｌｔａｇｅ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ...     

混合集成微波鉴频器的研究

本文介绍了一种使用介质谐振器的微波鉴频器,给出了设计方法及实验结果。     

毫米波单片集成低噪声放大器电路

基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB.1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器.     

GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析

通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数，利用HP ADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响，从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径。     

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展

概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.     

超高速单电源GaAs判决再生电路

设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .5Gbit/s系列光通信系统     

SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

深入地研究了ＳｉＮｘ钝化膜厚度对ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｐＨＥＭＴ电性能的影响,实验结果表明,ｐＨＥＭＴ器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;妆膜厚超过２００ｎｍ时,将影响ｐＨＥＭＴ器件电特性。     

K波段反馈式MMIC中功率放大器

给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21～29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性。