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使用一步蒸发法制备了CZTSe太阳电池. 研究了不同硒蒸发温度对CZTSe薄膜结构特性的影响. 通过硒蒸发温度与初始阶段二元硒化物的关系解释了实验现象。当Se蒸发温度超过一定值Sn的缺失现象停止时,不需要继续提高Se的蒸发温度可以减少生产中Se的消耗。最终在较合适的230 oC 硒蒸发温度下制备出效率为2.32%(有效面积0.34cm2)的CZTSe太阳电池。
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文章介绍了干扰噪声的特点以及对上行通道的影响和抑制干扰噪声的方法。
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