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BiFeO3-PbTiO3 (BFO-PT) thin films were prepared on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates by pulsed-laser deposition (PLD) technique under different oxygen pressures. The structures of the films were characterized by means of XRD. The current densities were performed to check the conductivity of the films. The dielectric constant and loss factor (tanδ) of the films were measured. The results show that the BFO-PT layers are mainly perovskite structured; the film deposited under 6.665 Pa exhibits low leakage current, low dielectric loss (0.017-0.041) and saturated hysteresis loop with polarization (Pr) value and coercive field (Ec) of 3 μC/cm^2 and 109 kV/cm. 相似文献
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研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺杂样品的FoM值仅为60.Cr掺杂陶瓷损耗的急剧降低可归因于Cr3 离子的还原和Cr3 、Cr2 受主行为中和了氧空位的施主行为. 相似文献
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Ba0.7Sr0.3TiO3铁电薄膜的弥散相变特征及有序微畴 总被引:5,自引:0,他引:5
Ba0.7Sr0.3TiO3铁电薄膜的介电温谱呈现弥散相变的特征,相对介电常数与温度呈现平方关系。TEM观察表明,10nm量级微畴随机分布在晶粒中,选区电子衍射(SAED)揭示微畴区存在1/2{201}超点阵,Ba^2+、Sr^2+离子层在「001」方向的交替排列可以描述该超点阵。 相似文献
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掺杂对PMS-PZ-PT三元系材料微结构和电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
探讨了Nb2O5、NiO、Fe2O3掺杂量对三元系PMS—PZ—PT陶瓷的微观结构和电性能的影响。实验结果表明:随着掺杂量的增加,有一个共同的规律:物相组成由四方相向三方相转变;掺杂物在PMS—PZ—PT材料准同型相界区的固溶度比较小;适当的少量掺杂使εr、d33、Kp3等都有所提高,所不同的是,少量硬性掺杂和取代能提高Qm,而软性掺杂材料的Qm值却随着掺杂量的增加一直下降,改性后的组分具有良好的压电性能,能更好的满足超声马达实际使用的要求。 相似文献
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