工艺行动

"加强公共技术的研究,国内有能力的企业尽快联合起来,建立起公共技术研究的平台。"陆燕荪在中国电器工业协会三届四次理事会上紧急呼吁。工艺作为电器制造的关键技术,它的好坏,关系创新成果能否实现,关系电器是否安全可靠,可以说是质量保证的关键环节。然而我们在工艺性文章的约稿过程中,发现现在进行工艺研究的人很少,工艺在我国制造业     

重视数理统计在电器中的应用

在电器产品设计、科学研究、试验检查、工艺过程和生产管理中,常常要对局部观察到的数据进行整理和分析,以判断整体的规律性,这就需要用到数理统计。例如,检验电器的产品质量时,如果逐件检验,不仅要耗费大量的人力、物力,同     

电器产品协同设计

指出电器产品的计算机支持协同设计研究的必要性。概述了研究中应关注的问题及开发方法与途径，包括电器产品信息模型、过程模型和组织模型；协同设计系统的结构和实现技术；利用电器设计的知识、方法与经验，解决设计任务的分解和分配、设计知识的表示和转换、设计主体的通信策略和语言、协同设计冲突的识别和消解等问题。     

基于MDT三维参数化模型的继电器建模技术

给出了采用三维参数化模型的继电器特征建模技术,介绍了该技术在电磁继电器专家系统中基于MDT的实现方法及应用实例.     

《简明电器工艺手册》简介

《简明电器工艺用册》（以下简称《手册》）共有20章，其内容既有常用的传统电器制造工艺，包括有：冷冲压、焊接、热处理、塑压、绝缘加工、电镀、涂覆、弹簧、双金属、触点、磁系统、线圈、机柜、母线、装配等制造工艺；也有近年发展的先进制造技术给予特别的关注，如对固态电器（第17章）、制造过程自动化（第18章）、现代工艺设计（CAPP）技术（第19章）以及产品数据管理（PDM）（第20章）等现代制造技术作了重点的介绍。在第1章对我国电器制造业实现信息化概念内容和方法步骤，作了具体的描述；同时在这一章对新技术、新工艺和新材料的发展趋势也作了介绍。在第12章磁系统结构一章推荐了国产电工纯铁磁化曲线，突破了20世纪50年代开始以来一直引用国外磁化曲线的传统。     

洗衣机的安全使用

全自动洗衣机的广泛使用,为我们的生活带来极大的便利。但是,在安全性能方面洗衣机与其它家用电器相比,有其特别之处。如洗衣机既要有防触电保护,又需要防水防溅,还要具有防止机械危险的保护措施。这就要求洗衣机必须具有更严格、更可靠的安全保护措施。为提高其安全可靠性,使用户在使用洗衣机时即便出现误操作,也不致发生危及人身安全的意外。洗衣机的国家标准对此作了明确的规定,并需要将产品通过严格的试验来验证。这里加以简单介绍。     

集中空调系统需求响应潜力分析

利用供暖、通风和空调系统与建筑的耦合热惰性提供需求响应资源是一种经济实用的方法,尤其是具有主动储能系统的建筑物,具有更大的需求响应潜能。首先搭建仿真平台并验证了其准确性,然后从建筑和空调的被动储能以及蓄热罐的主动储能两个方面进行研究,采用了预冷、温度重置以及启停制冷机组3种策略的灵活组合,分析了建筑和空调系统、蓄热罐的需求响应潜力。结果表明,该策略对于短期（0.5 h）和长期（2.5 h）的需求响应均有效：对于短期需求响应计划,利用建筑和空调系统本身的热惰性就可以满足;对于长期需求响应计划,需用到主动储能技术满足室内热舒适要求。     

毫米波雷达信号大气衰减特性建模与分析

毫米波雷达信号大气衰减特性,采用Matlab逐步回归的方式对其进行分析。即用线性回归法,对毫米波雷达信号的大气衰减特性进行建模。通过方差分析和多元线性回归方程效果检验分析,根据误差分析结果,剔除异常点,重建模型,最后得出毫米波雷达信号大气衰减的方程。     

基于高光谱成像技术的苹果表面缺陷无损检测

以"红富士"苹果为研究对象,提出基于高光谱成像技术结合图像分割技术的苹果表面缺陷的无损检测方法。采用高光谱图像采集系统(400 nm～1 000 nm)采集完好无损和表面有缺陷苹果的高光谱图像;对采集到的高光谱图像进行最小噪声分离变换,提取感兴趣区域的平均光谱反射率;采用图像分割技术提出苹果表面缺陷的无损检测方法。结果表明:采用最小噪声分离变换可有效地消除苹果高光谱图像中的噪声;在700 nm～800 nm以及900 nm～1 000 nm波段范围内完好无损和表面有缺陷的苹果的光谱反射率值具有明显的差异,同时选取特征波长717.98 nm处的光谱反射率值小于0.6以及982.59 nm处的光谱反射率值大于0.52作为区分苹果正常区域和表面缺陷区域的阈值条件,进一步利用阈值分割方法对80个完好无损苹果和40个表面有缺陷苹果的正确识别率分别为97.5%和95%。表明高光谱成像技术结合图像分割技术可实现苹果表面缺陷的无损检测。     

砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性研究

首先给 出了利用光电导天线产生的太赫兹波的时域和频域光谱,进而,基于搭建的太赫 兹时域光谱系统, 并采用透射光谱法分别测量了砷化镓类型的三种半导体材料在太赫兹波段的透过率。结果表 明,基于光电导 天线产生的太赫兹波在0~2THz范围内,光谱比较稳定,频率带宽比 较宽;砷化镓半导体材料在0~2.0THz 范围内的透过率的变化相对较小,具有较高的透过率(>60%),并且 明显优于碲化锌以及碲化镉半导体 材料在太赫兹波段的透过率。因此,相比于碲化锌以及碲化镉半导体材料而言,砷化镓半导 体材料更适用于设计宽频带的太赫兹功能器件。