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根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W. 相似文献
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本文把各种碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长两大类.着重叙述了一些目前采用较多的体晶体生长技术,简要说明组分均匀度、电学特性等参数已达到的水平和这些方法的优缺点.增量淬火—再结晶技术和移动加热器法为生长优质、大面积碲镉汞体晶体展示出可喜的前景. 相似文献
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热壁外延是一项很有前途的薄膜生长技术。其主要特点是:薄膜在尽可能接近热力学平衡的条件下进行外延生长,材料源损失极少。在生长系统中,衬底与材料源之间的温度差,是衡量是否接近热力学平衡条件生长的一个重要标志。我们在接近热力学平衡的条件下,用热壁外延技术生长出了质量优良的CdTe[111]方向单晶薄膜,其质量比衬底有较大的 相似文献
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首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法.对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征.XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小.SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37 eV)大.AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的. 相似文献
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在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体正常凝固时的情况。可以用边界层机理来解释这些晶体中径向组分的变化。在快速生长的晶体中,观察到了所希望的均匀的轴向组分分布,而径向的组分变化可以用热流的影响加以解释。 相似文献
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在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。 相似文献
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