关于研制碲镉汞晶体的几点简单讨论

碲镉汞(有时写作Hg_(1-x)Cdx Te,以下简写为MCT)是目前制作峰值响应在3～5微米,特别是在8～14微米大气透射窗口的红外探测器的重要材料。用它可以制备出响应速度快、探测率高的探测器。探测器的截止波长λ_c与禁带宽度E_g有着直接的联系:     

有机红外半导体单还原态双硫醇烯-铂的制备及其光电性质研究

用化学合成法合成了有机红外半导体双硫醇烯铂和单还原态双硫醇烯铂.用色谱、有机质谱确证了所合成的中间产物以及目标产物.FT-IR光谱和椭圆偏振光谱表明单还原态双硫醇烯铂在近红外波段1300～1800nm有明显的光学吸收.在宝石基片上制作了MSM金又指型电极的光电原型器件,验证了单还原态双硫醇烯铂在近红外波段的光电响应.     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

一种新型溶胶-凝胶方法制备ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究

使用一种新型的溶胶．凝胶方法制备了ZnO薄膜,此方法的特点在于操作简单、无毒、实用。此方法可在非单晶基片（如玻璃、石英等）上制备最大晶粒尺寸大于100nm的大面积ZnO薄膜。利用椭圆偏振光谱观察到了所制备ZnO薄膜折射率随光子能量的增加在光子能量等于禁带宽度处出现峰值的现象;计算了ZnO薄膜的光学带隙;证明了ZnO薄膜中存在由氧空位和锌间隙原子在带隙中引入的缺陷能级。     

富碲碲镉汞合金相图的实验研究和理论计算

采用直接观察法和差热分析法测定了(Hg_(1-z)Cd_zTe)_(1-y)Te_(1-y)(y>0.5)当z=0.060,0.078和0.160时的液相线、凝固点和过冷度;用缔合溶体模型计算了相应的液相线,并与实验值进行了比较;用实验结果拟合出了混合作用参数α_(1r)(z),提出了它随z变化的表达式α_(1r)(z)=1.041+0.12z~(-1)-0.0023z~(-2)。     

开管汽相外延法生长碲镉汞晶膜

报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲镉汞晶膜。     

PbS量子点的化学溶液法制备技术

在Zhang制备PbS量子点技术的基础上,作者对其技术进行了改进,通过引入溶剂和反应添加剂,在室温,常压下合成了PbS量子点.由于该改进技术可通过选择不同种类的溶剂、不同种类的添加剂、不同的反应物浓度以及不同的反应时间,来控制PbS量子点的尺寸及表面形貌,这为化学溶液法室温制备PbS量子点带来了极强的可控性.这种廉价实用的室温、常压量子点制备技术在量子点红外探测器、生物标签,有机/无机复合材料等材料与器件等领域有潜在的应用价值.     

用DLTS法研究高镉组份碲镉汞的深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)研究用于制备1.3～1.55μm光纤通信探测器的高镉碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,x>0.5)混晶的深能级。观察到了一个位于禁带中央的深能级以及几个在实验器件制备过程中引入的深能级。研究表明,电容瞬态过程是非指数形式的。基于合金无序导致能级展宽,对实验曲线作了拟合,推导出禁带中央能级的展宽度。     

HgCdTe液相外延生长技术

随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体组分的变化而发生很大的改变,所以生长块状晶体总是要遇到一些特别困难的问题(图1)。尽管存在这些特殊的困难,用常规的方法还是能够生长出直