基于有限元法的变压器漏磁场及电动力分析

基于有限元法系统地分析变压器在漏磁场中的短路受力情况。通过采用电磁场有限元法对变压器进行建模,分析变压器绕组的漏磁场分布情况及短路情况下线圈受到的电动力。研究结果表明,变压器在额定运行时的漏磁场分布特点为,绕组的轴向和径向上都有漏磁分量存在,但主要的是轴向漏磁通;在短路情况下,高-低压绕组受到不同方向的径向电动力,轴向和径向电动力在绕组上的分布有一定的规律性。采用有限元法计算的结果揭示了变压器绕组各部位的磁感应强度及电动力分布情况,分析结果为变压器抗短路能力校核提供了理论指导和依据。     

基于H∞滤波的车载捷联惯导初始对准研究

为了提高车载捷联惯导的对准精度和收敛速度,文中从信号源开始考虑,运用小波域阈值滤波方法对信号进行滤波,然后使用H..滤波来进行初始对准.最后,经过实际结果分析表明,采用小波域阈值滤波和H∞滤波滤波方法有效提高了收敛速度和对准精度,能够满足常规环境下车载导航的要求,有较大的工程实用价值.     

煤矿反应型高分子材料研究现状及发展趋势

按照井下应用目的对煤矿反应型高分子材料进行了分类。详述了加固注浆、空穴充填、瓦斯控制、防火灭火材料以及水控制方面使用的相关材料。论述和分析了高分子材料的成份组成、反应机理、产品特点、优缺点以及应用范围,并给出了相关标准和要求。介绍了聚氨酯、水玻璃-聚氨酯、酚醛树脂、脲醛树脂等高分子材料的成份组成、应用方法、优缺点以及达到的效果。分析了高分子材料在煤矿应用的优缺点,对未来产品的发展进行了展望。     

包钢5#高炉炉缸侧壁温度升高原因分析和处理

文章对包钢5~#高炉炉缸侧壁温度升高的原因进行了分析并总结了治理经验,通过实施护炉措施,配加含钛炉料进行护炉,5~#高炉炉缸侧壁温度升高得到了有效的控制,将炉缸侧壁温度控制在安全范围之内,保证了安全生产和高炉长寿。     

不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应

在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应（ELDRS）;在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。     

不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应

为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。     

PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明：相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。     

基于FPGA的高精度时间测量电路的实现

介绍了一种基于FPGA技术的TDC(Time to Digital Convrtor)的实现,利用FPGA中加法器固有的进位链的延迟实现时间内插电路来完成TDC中的细计数部分.此TDC结构是一种基于最新的WUTDC(Wave Union TDC)技术,通过再次细分进位链中的超宽码来提高测量精度.经过板级测试和在线调试,证明该转换电路线性度良好,RMS精度好于40ps.     

桩顶设置可变形桩段减振性能试验研究

桩顶设置可变形桩段是针对建筑物受到外力冲击下减轻其损伤提出的一种减振新形式,在保证混凝土强度一致的前提下,用具有减振耗能性能的掺入橡胶颗粒的复合混凝土,代替桩顶一定长度的普通混凝土桩段.通过现场试验,探究有无上部荷载、不同激振强度和可变形桩段长度对桩顶设置可变形桩段桩减振性能的影响.结果表明:桩顶受到竖向荷载约束时,可...     

电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。