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31.
BNKLT无铅压电陶瓷中频滤波器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用本组发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,研制了单片式中频陶瓷滤波器。该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍具有较强压电性。利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3 dB,中心频率约为530 kHz,带宽约为8.8 kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器。除中心频率以外,各项指标均与村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品相当,具有良好的应用前景。  相似文献   
32.
Magnetic properties and intergranular action in bonded hybrid magnets,based on NdFeB and strontium ferrite powders were investigated.The long-range magnetostatic interaction and short-range exchange coupling interaction existed simultaneously in bonded hybrid magnets,and neither of them could be neglected.Some magnetic property parameters of hybrid magnets could be approximately obtained by adding the hysteresis loops of two magnets pro rata.  相似文献   
33.
郭润  王振兴  敦亚南 《计算机工程》2006,32(11):186-188
在分析邻居发现协议运行机制的基础上,指出了链路可信这个默认前提是导致ND(Neighbor Discovery)存在安全缺陷的根本原因,分析了利用ND安全缺陷对链路内的节点进行中间人攻击的方法,并对ND的安全防护进行阐述。测试结果表明,提出的方法是可行的、有效的,大大降低了攻击的影响。  相似文献   
34.
AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance (0.33 g2.mm) at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm (Vows = I V) and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.  相似文献   
35.
IP网络对服务质量(QoS)的支持一直是网络技术研究的热点,有几种协议支持IP网络的QoS,描述了综合服务结构模型(IntServ/RSVP)、区分服务结构模型(Diff-Serv)和多协议标记交换技术(MPLS)的原理,讨论了Diff-Serv的关键技术和基于MPLS Diff-Serv支持数据传输服务质量(QoS)的实现技术。  相似文献   
36.
分别以Si2 H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜.用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究.结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用...  相似文献   
37.
LiNbO3基无铅压电陶瓷的研究与进展   总被引:11,自引:0,他引:11  
LiNbO3基无铅压电陶瓷近年来受到各国学者的关注.已成为继BNT之后的又一重要的无铅压电陶瓷研究体系。本文结合近年来有关LiNbO3基无铅压电陶瓷的研究论文及近20年的发明专利公报,归纳和分析了LiNbO3基无铅压电陶瓷的研究开发进展,着重介绍了LiNbO3基无铅压电陶瓷的主要体系及制备方法、压电铁电性能,并对LiNbO3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议。  相似文献   
38.
BNKLT无铅压电陶瓷梯形中频带通滤波器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,采用全电极径向振动模式制作了插入损耗小于6 dB,阻带损耗大于30 dB,频率特性曲线平滑,并具有良好选择性的中频(IF=460 kHz)多节带通滤波器。与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性有待进一步改进。  相似文献   
39.
通过对城市生活垃圾与碱业废渣--白泥不同的混合比例,不同的生活垃圾埋龄和不同的混合土填埋密度分别作建筑地基的载荷试验,结果表明,以15%白泥和85%生活垃圾混合填埋,生活垃圾埋龄不少于3年,填埋干密度为1.5t/m^3,承载力的基本值可达110kPa以上。  相似文献   
40.
针对数字体全息存储系统(DHSS)中复杂噪声的特点,从数字通信中信道编码的观点出发,讨论了采用数字信号处理方法来抑制DHSS中噪声干扰的技术。为了克服传统调制码的弊端,提出了一种适用于DHSS新的调制码:调制-阵列码的编译码方法及其相应的软判决度量方法。实验结果表明,这些方法对降低误码率发挥了作用,特别是集等重码、纠错码和迭代译码等优点于一身的调制-阵列码的应用,可将误码率降低一二个数量级,并成功地实现了多媒体视频流的存储和回放。  相似文献   
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