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71.
在对现有实验教学管理、实验室设备及耗材管理、实验室开放等多个管理系统分析的基础上,提出了开发基于WEB的综合性实验室管理系统的设计及实现方案。  相似文献   
72.
用精铁矿粉代替Fe2O3制备软磁铁氧体的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
叙述了用精矿铁粉制作性能优良的软磁MnZn铁氧体的工艺特点,测试结果表明,试制材料达到P2k材料性能水平。  相似文献   
73.
LaxSr1-xMnO3微波吸收特性的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
对LaxSr1-xMnO3微波吸收特性进行了研究,在8~12GHz频率范围,x取值不同,吸收特性不同,在x取0.4,涂层厚度为2.21mm时,最高吸收峰为25dB。测试分析认为,损耗吸收来自磁损耗和介电损耗,吸收峰与介电损耗角正切最大值相对应,在10.5GHz附近。初步比较了掺杂碳纤维、W型和Y型平面六角铁氧体后,样品吸收特性的变化。  相似文献   
74.
中心提升管内循环流化床生物质气化装置的关键是合理控制物料循环量.自行设计并搭建了中心提升管内循环流化床冷态试验台,在小型试验台上就运行参数对颗粒循环流率的影响进行了试验.试验结果表明:颗粒循环流率随着提升管风速或鼓泡床风速的增加而增加,并且当提升管风速或鼓泡床风速分别增加到一定程度时,颗粒循环流率增加趋于缓慢.在试验基...  相似文献   
75.
a-C:H薄膜有内应力大、热稳定性差、大气环境下摩擦因数高(0.1~0.4)等一些固有缺陷。采用等离子体辅助化学气相沉积技术,以乙炔和六甲基二硅氧烷为反应前驱体制备了具有低摩擦因数的硅氧共掺a-C:H薄膜。利用扫描电镜、拉曼光谱、纳米压痕及划痕分别研究了薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,硅氧共掺a-C:H薄膜具有典型的非晶碳结构,并且展现出较高的硬度和弹性模量以及良好的膜基结合力,大气下的摩擦因数介于0.04~0.08之间,气压为10 kPa和5 kPa时摩擦因数可低至0.02。薄膜的低摩擦性能主要来源于薄膜本身的特性(硅氧的掺杂)和服役环境中大气压力的共同作用。  相似文献   
76.
电离层总电子含量(total electron content, TEC)作为评估无线电波穿过电离层时产生误差的主要物理量,对其准确的估算以及预测具有重要的研究意义.本文结合电离层层析算法反演重构的TEC数据,提出一种基于长短期记忆(long short-term memory, LSTM)与国际参考电离层(international reference ionosphere,IRI)模型的组合预测模型,实现了对欧洲上空平静态电离层的TEC预测,并与IRI梯度法、LSTM网络预测结果进行对比.实验结果表明:IRI梯度法提前1 h能够产生理想的预测结果,提前2 h与3 h的预测精度明显下降;LSTM模型在提前2 d的预测结果表现良好,但随着迭代预测时长的增加预测结果中出现较多异常值.统计误差显示,本文所提出的组合预测模型相比于IRI梯度法预测性能更为稳定,对单一LSTM模型修正效果明显,消除了预测结果中大部分异常值,有效提高了单一模型的预测精度.组合预测模型与实际层析TEC之间的预测均方根误差(root mean squared error, RMSE)为1.1 TECU,与欧洲定轨中心...  相似文献   
77.
78.
刘海江  李运  尹萍 《机电一体化》2009,(7):29-31,40
对某车型白车身结构特别是焊点的相关信息进行分析研究,提出了建立白车身焊点管理系统的技术方案,并以焊点数据库为基础,开发了白车身焊点管理系统。利用该系统可实现焊点查询、焊点分配、焊点信息浏览和修改等功能,从而减少工艺规划人员的重复劳动,提高工作效率。  相似文献   
79.
论述影响白车身生产过程的几个重要因索:资源管理、焊接与检测。合理有效的资源管理、商效率的焊接及检测是控制生产过程顺利进行及保证质量的关键。  相似文献   
80.
纳米晶CdFe2O4的制备与湿敏性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
王银海  莫茂松  邵名望  尹萍 《功能材料》2002,33(2):198-199,206
采用硬脂酸凝胶法工艺在较低温度下合成Cd-Fe2O4纳米晶材料。TG-DTA热分析表明:纳米晶CdFe2O4在410℃左右晶化形成;XRD、BET比表面吸附等技术表征结果表明,所合成纳米晶CdFe2O4属立方尖晶石结构,平均晶粒度为15-23nm,Cd^2 适度过量对CdFe2O4晶粒生长具有抑制作用。湿敏特性测试结果表明,纳米晶CdFe2O4湿敏元件感湿灵敏度优于相应的常规陶瓷元件,Cd^2 适度过量(Cd^2 /Fe^3 >1/2),可达到调制纳米晶湿敏电阻值范围及减小材料湿滞的双重目的。初步探讨了过量Cd^2 影响CdFe2O4纳米晶材料湿敏性能的内在原因。  相似文献   
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