FFEA中电场及电子轨迹模拟研究

采用有限差分法,对有聚焦极的垂直双门结构的ＦＥＡ进行了轴对称三维模拟计算,得到发射微尖附近的电位和电子束运动分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦孔以及栅极电位对发射的电子束影响。聚焦电位相对栅极越负,聚焦作用越强。减淖聚焦孔径影响了大的发散角的电子,但对聚焦的作用不如电位改变明显。栅极电位基本不影响电子的轨迹,仅改变了发射的电子的多少。结论与实验基本一致。     

网格状电阻层对FEA的作用

讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列器件 ,展示了电阻层在改善器件性能方面的重要作用     

四结叠层太阳电池中AlGaAs/GaAs隧穿结的特性和表现

III-V族化合物叠层太阳电池是具有超高转换效率的第三代新型太阳电池。四结叠层电池GaInP/GaAs/InGaAs/Ge,各子电池的带隙分别为1.8, 1.4, 1.0, 0.7(ev)。为了使各子电池之间电流匹配,在各子电池之间以隧穿结互相连接。本文主要探索研究了四结叠层电池GaInP/GaAs/InGaAs/Ge隧穿结的特性,三个隧穿结的材料选取,探讨了隧穿结对整体叠层电池的特性的补偿作用,对各子电池电流密度的影响,以及在此基础上对整体电池效率的增加。选用AlGaAs/GaAs作为隧穿结运用PC1D进行电池的整体模拟仿真,得到各子电池电流密度分别为16.02mA/cm²,17.12 mA/cm²,17.75 mA/cm²,17.45 mA/cm²,电池在AM0下的开路电压Voc为3.246V,转换效率为33.9%。     

二次蒸发制备的CuxS薄膜结构与特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备ＣｕｘＳ薄膜。硫在衬底温度１６０℃￣２００℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜与衬底温度有很大关系，１６０℃时生成的ＣｕｘＳ呈黄绿色，而在１９０℃左右生成的多晶状的ＣｕｘＳ薄膜，颜色为深绿色。通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＳ等方法对样品的组织结构进行了研究和探讨。     

我国集成电路发展环境研究

本文简要地描述了我国集成电路的发展环境，从构成、科技创新、市场、政策、可利用资源等几个方面进行了分析，并对将来的发展趋势提出了可能的方向。     

酸基取代酞菁铜化合物的合成及其光电性研究

合成了一种羧酸基取代的可溶性酞菁铜化合物，并对其光吸收性及导电性进行了研究。结果表明：（１）这种含有羧酸基的酞苯铜化合物在波长５００￣８００ｎｍ有强吸收，较无取代基的酞菁铜化合物吸收波谱范围增宽；（２）该正确性的具有一定的电导性，水解前化合物体电导率为１０＾－７／Ω·ｃｍ，较无取代基的酞菁铜提高了４个数量级。水解后化合物表面电导率为１０＾－２／Ω·ｃｍ；（３）随着电压的增加，羧酸基取代酞菁铜薄膜的     

用于OFDM调制解调模块的设计与实现

比较了正交频分复用(OFDM)中常用的四种调制解调工作模式,并对BPSK、QPSK、16QAM和64QAM四种调制方式的通用调制解调模块进行了优化设计,使之能根据接收端的误码率状况进行自动调整调制,采用共享64QAM映射表整合16QAM映射表ROM,通过对BPSK和QPSK的解调分析,由于星座点比较少,判决最后可以转换成映射关系,并将实部和虚部分别进行.利用共享寄存器、数据选择器、减法器等器件进行数据优化整合运算.通过FPGA的仿真,对几种调制模式的资源消耗进行比较,在不影响性能的基础上优化后的资源占用得到极大降低.     

可对多参数测量的硅传感器系统的研制

本文介绍了一种新型的可对多个目标测量的硅压力传感器系统的研制,它是把多个硅压力传感器组合成一个完整的传感器系统,用于对多个不同的对象同时完成独力测量。文章具体描述了对压力、流量、干度实施测量的原理、过程以及传感器系统的结构制作。     

场发射阵列中聚焦电极制备的自对准技术

本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术,提出了具有自对准能力的刻蚀方法,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准.比较了传统方法与新方法的不同,具体论述了整个工艺过程,并对制备出的器件进行了SEM观测,结果达到了预想的目标.