用于OFDM调制解调模块的设计与实现

比较了正交频分复用(OFDM)中常用的四种调制解调工作模式,并对BPSK、QPSK、16QAM和64QAM四种调制方式的通用调制解调模块进行了优化设计,使之能根据接收端的误码率状况进行自动调整调制,采用共享64QAM映射表整合16QAM映射表ROM,通过对BPSK和QPSK的解调分析,由于星座点比较少,判决最后可以转换成映射关系,并将实部和虚部分别进行.利用共享寄存器、数据选择器、减法器等器件进行数据优化整合运算.通过FPGA的仿真,对几种调制模式的资源消耗进行比较,在不影响性能的基础上优化后的资源占用得到极大降低.     

OLED显示技术与产品发展趋势

新型显示器件发展迅速，是继电子管、半导体集成电路后，形成的又一个规模庞大的电子器件产业，其应用范围涵盖彩电、计算机、计算器、游戏机、PDA、手机及室外大屏幕显示等方面。新型显示技术及相关产业的产品占到信息产业总产值的30％以上，成为电子信息产业的基础支撑产业之一，其发展快慢、技术水平高低，直接影响整个电子信息制造业的发展。     

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列（ＦＥＡ）。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明，通过引入电阻层，器件发射的不均匀性得到较大改善，异常发射得到有效的抑制。     

FFEA电场及电子轨迹模拟讨论

采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的场发射阵列进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子轨迹分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦极孔径以及栅极电位对发射电子束的影响。聚焦极电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦极孔径对大发散角的电子有影响 ,但对聚焦作用的影响不如改变电位明显。栅极电位基本上不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射电子的多少。以上结论与实验基本一致     

有电子束聚焦作用的场发射阵列

讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列 ,并制作了样管。为了抑制发射电子束的发散 ,采用电子束聚焦的方法。文中给出了三种结构的聚焦方案 ,开发的透明电阻层Ni SiO2 保证了聚焦孔的刻蚀精度     

硫化铜薄膜的两次蒸发制备

在玻璃基底上通过两次蒸发制备ＣｕＸＳ薄膜。硫蒸气在温度１５０—２１０℃时与淀积在衬底上的铜直接反应，生成ＣｕＸＳ薄膜。实验发现１５０℃时生成无定形的ＣｕＳ，呈黄绿色，而在２００℃左右生成多晶状的ＣｕＳ薄膜，颜色为深绿色。对薄膜的光学、电学特性进行了研究。     

机遇大于挑战

尽管在年中遭遇了“非典”疫情等不利因素的袭击，对中国半导体产业的发展有一定影响，但从总的方面看，2003年我国半导体产业的发展仍旧保持了高速增长的态势，半导体元器件进出口在“非典”以后迅速恢复增长，且在目前全球半导体行业的恢复中令人瞩目。海外对中国大陆的集成电路产业的投资热潮仍在继续。随着一部分以前投资的生产线的建成，中国半导体产业的总体实力大大加强。芯片设计、芯片制造以及芯片的封装仍然是半导体行业投资发展的重点。     

可对多参数测量的硅传感器系统的研制

本文介绍了一种新型的可对多个目标测量的硅压力传感器系统的研制,它是把多个硅压力传感器组合成一个完整的传感器系统,用于对多个不同的对象同时完成独力测量,文章具体描述了对压力、测量、干度实施测量的原理、过程以及传感器系统的结构制作。     

基于InGaAs渐变缓冲层的太阳能电池的研究

This paper uses an InGaAs graded buffer layer to solve the problem of lattice mismatch and device performance degradation. In the graded buffer layer, we choose the ＂transition layer＂ and the ＂cover layer＂ to accommodate the 3.9% mismatch. No threading dislocations were observed in the uppermost part of the epitaxial layer stack when using a transmission electron microscope （TEM）. We analyze the factors which influence the saturation current. Simulation data shows that the cells grown by metal organic vapor phase epitaxy （MOVPE） have considerable open circuit voltage, short circuit current, and photoelectric conversion efficiency. Finally we propose that InP may have great development potential as a substrate material.