762厂10kW调频发射机实现遥控

目前陕西 76 2厂生产的 10kW调频发射机在全国各地的发射台仍有相当数量。该机的控制小盒由于设计上存在一些漏洞 ,故障率相对较高 ,另说明书对发射机的遥控功能也没作详细介绍。本文结合实际分析了该机的遥控电路原理 ,并介绍用单片机实现遥控 ,以供参考。     

第二代小型WLAN模块面积低于100mm2

微软公司于2006年11月在美国上市了首款MP3-Zune,这一款战略性产品的目标是打破苹果计算机公司在MP3市场上的垄断地位,Zune可以与其他使用WLAN的用户共享乐曲、播放列     

A GaAs/GalnP dual junction solar cell grown by molecular beam epitaxy

We report the recent result of GaAs/GalnP dual-junction solar cells grown by all solid-state molecularbeam-epitaxy （MBE）. The device structure consists of a GaIn0.4sP homojunction grown epitaxially upon a GaAs homojunction, with an interconnected GaAs tunnel junction. A photovoltaic conversion efficiency of 27% under the AM1.5 globe light intensity is realized for a GaAs/GaInP dual-junction solar cell, while the efficiencies of 26% and 16.6% are reached for a GaAs bottom cell and a GaInP top cell, respectively. The energy loss mechanism of our GaAs/GalnP tandem dual-junction solar cells is discussed. It is demonstrated that the MBE-grown phosphide-containing Ⅲ-V compound semiconductor solar cell is very promising for achieving high energy conversion efficiency.     

杭州，在水一方

杭州倚湖而兴，因湖而名。自正以来，杭州人依湖而居，伴湖而作。西湖给了杭州人灵气和智慧，不断地追求与创造，更使湖山胜景熠熠生辉。在相湖自然山水的环抱中，在水一方的杭州，日益散发出她无尽的都市魅力。     

基于FPGA的图像中值滤波器的硬件实现

为了实现图像的实时处理,常采用现场可编程门列阵FPGA对采集的数字图像做预处理,在讨论中值滤波算法原理的基础上,利用VHDL硬件描述语言设计一个中值滤波模块对输入图像进行去噪处理,仿真结果说明该算法满足实时性要求,取得较好的仿真效果,并对中值滤波的改进算法进行了讨论。     

甘蔗新品种粤糖86／368试验初报

在广西田阳旱坡地的新植,宿根试验结果表明,粤糖８６．３６８平均每公顷蔗茎产量１１５３３５ｋｇ,比对照种桂糖１１号增产２２．０９％;而平均每公顷含糖量１６４０２．５ｋｇ也比桂糖１１号增糖１９．１８％;粤糖８６／３６８表现出中大茎,高产,高糖,宿根性好,特耐旱等优良种性,其蔗茎蔗糖分在１月１５日后高于对照种桂糖１１号,是一个适合于桂西旱坡地种植的优良品种。     

平流反射过滤浓缩器的研制

应用置换法测沙，当河流含沙量大于10kg／m3时，河水可以不经过浓缩处理而直接用比重瓶量取称重，再根据泥沙置换水的关系换算出河水含沙量。若河流含沙量小于10kg／m’时，河水需要经过自然沉淀十几小时并将上层澄清水倒去（即自然沉淀浓缩处理），再移入比重瓶量取称重，进而换算其含沙量。低含沙河流的泥沙测量比较费时，为了提高其测沙速度，我们研制了平流反射过滤浓缩器。该过滤浓缩器不仅可以对低含沙河水进行快速过滤浓缩处理，还可以定容称重测定河流含沙量。1平流过滤浓缩器的设计构思常见的过滤器在过滤过程中，一般是被过滤的水…     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …