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由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成接收机在高速咣纤通信系统和波分复用网络方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。 相似文献
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首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｍｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减少了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属８光电探测器暗电流的有效途径。 相似文献
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国内数字电视的发展已有数年,截至2008年5月的数据．中国数字电视用户已经达到3627万。尽管看上去已经发展了庞大的用户规模,但事实上仍然困难重重。把各种各样的困难归结起来,其中很重要的一点就是“用户习惯”。 相似文献
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自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的. 相似文献