低功率He-Ne激光穴位照射治疗急性弥漫性外耳道炎及外耳道疖肿

急性弥漫性外耳道炎及外耳道疖肿,多系外耳道皮肤的毛囊或皮脂腺为葡萄球菌等感染之结果。     

GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应

对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤.     

GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)

对 Al Ga As/Ga As太阳电池进行了质子辐照和热退火实验 .质子辐照的能量为 32 5 ke V,辐照的剂量为 5×10 1 0— 1× 10 1 3cm- 2 .实验结果表明 ,质子辐照造成了 Ga As太阳电池光伏性能的退化 ,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显 .退火实验结果表明 ,2 0 0℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复 .此外 ,实验结果还指出 ,在 Ga As太阳电池表面加盖一层 0 .5 mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对 Ga As太阳电池性能的损伤     

GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应

对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤.     

低功率He-Ne激光穴位照射治疗冻疮的疗效观察

我科于1978年底至1984年2月的冬季内用低功率He-Ne激光穴位照射治疗Ⅰ°、Ⅱ°、Ⅲ°冻疮30例,均获得了痊愈的治疗效果.一般资料男性9人,女性21人.年龄分布:9～14岁19人,14～18岁8人,18岁以上3人.发生部位:发于左手背者16人,右手背者3人,发于左足跟者4人,右足跟者2人,发于耳廓者5人.病变程度:Ⅰ°17人,Ⅱ°9人,Ⅲ°4人(Ⅰ°—局部皮肤先苍白,后红肿或青紫,形成硬块,自感到灼痛或搔痒;Ⅱ°—皮肤除红肿外,可出现大小不等的水泡,疼痛;Ⅲ°—水泡破裂,出现糜烂或溃疡,表面苍白或紫黑,自感到刺痛或麻木).