辐照诱生的双极性线性稳压器的1/f 噪声退化研究

研究发现辐照能使双极线性稳压器LM117的输出1/f噪声性能退化。本文在研究双极线性稳压器LM117的辐照失效机理基础上,认为LM117的内部带隙基准是其噪声性能退化的关键部件,辐照引起的带隙基准内部的双极性晶体管的基极表面复合电流的退化,导致LM117输出1/f噪声发生退化。通过对比,可以看出1/f噪声比电参数敏感,也可以用来表征LM117辐照损伤。     

光电耦合器电流传输比的噪声表征

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.     

深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电，以及电迁移等失效机理，已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中，热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研完，提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。     

双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法．     

微微网同频干扰对蓝牙数据传输的影响

建立了蓝牙微微网相互之间干扰的数学模型，根据此模型推导了蓝牙数据分组重传概率与微微网个数之间的关系表达式；编程实现了对跳频算法的模拟，得到了碰撞概率与微微网个数的关系曲线．最后得到的实测结果与仿真结果吻合很好．     

高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声

在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性.该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段.     

一种集成ΣΔ 小数频率合成器的双通道多模全球导航卫星系统接收机设计

本文给出了一种72mW的集成ΣΔ 小数频率合成器的高集成度双通道多模全球导航卫星系统接收机的设计,接收机覆盖GPS L1和北斗B1、B2、B3频段。接收机采用TSMC 0.18μm工艺,封装类型为3毫米?3毫米48脚封装。在没有片外低噪声放大器的情况下,噪声系数小于5.3dB,北斗B2、B3频段通道增益为105dB,GPS L1和北斗B1频段通道增益为110dB.镜像抑制dB.两个通道在的锁相环在偏离载波1MHz的频率处相位噪声为-115.9dBc和-108.9dBc。尽管两个不同的导航信号可以同时接收,在低功耗模式下,芯片实现了全球导航卫星系统多个频段的兼容,方便了用户的使用。     

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.     

具有高线性调谐特性的1.2 GHz CMOS频率综合器

基于0.18 μm RF CMOS工艺实现了一个1.2 GHz高线性低噪声正交输出频率综合器,该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪声LC压控振荡器;降低了系统对锁相环中其他模块的要求;基于源极耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频,采用"与非"触发器结构实现了高速双模预分频,并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵,获得了良好的频率综合器环路性能。对于1.21 GHz的本振信号,在100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-99.1 dBc/Hz和-123.48 dBc/Hz。该频率综合器具有从1.13~1.33 GHz的输出频率范围。工作电压1.8 V时,芯片整体功耗20.4 mW,芯片面积(1.5×1.25) mm2。     

集成双极晶体管基区表面电流的准二维模型及其参数的提取

考虑到少子准费米能级沿基区表面的非均匀分布,建立了集成双极晶体管基区表面电流的准二维模型。利用栅控晶体管作为测试结构,提取出了主要的基区表面参数。