半导体光波导开关列阵

光波导开关是光网络的基础器件。半导体中的电光效应、能带填充效应、多量子阱的量子限制Stark效应以及等离子体色散效应等都可分别被利用来制作成光波导开关。本文综合介绍基于上述效应的光波导开关的发展动态。     

飞速发展的半导体激光器

评述半导体激光器的发展动态, 包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦台型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。     

高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数

应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测，对于器件应用具有重要的意义，本文中，利用ＭＯＣＶＤ方法得到高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料，采用双晶衍射方法的弱信号收集技术，结合运动学理论模拟，得出同时包含几个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阶结构的重要参数，其检测结果与光致发光（ＰＬ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）等方法的测试结果基本一致，表明Ｘ射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法．     

透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器

本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。     

GaAlAs/GaAs DH激光器升温加速老化

对DH激光器进行升温加速老化,以了解DH激光器高温退化特性,以及这些特性与器件参数间的关系,探讨其退化机率、退化概率;并推算其室温下的平均寿命。本文只限于讨论推算寿命问题。     

载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关

研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。     

表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．     

光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响

本文讨论了全内反射型光开关的交叉角２和光路的数值孔径ＮＡ．本文给出了设计光开关时的上限，并且讨论了当光路中有全内反射型光开关时，ＮＡ受到的影响问题。     

应用增益杠杆效应提高分布反馈激光器的波长可调谐范围

在三段电注入应变多量子阱分布反馈激光器中，应用增益杠杆效应扩大了波长的可调谐范围。对其中两段加固定偏置直流电流，另一段作为控制段（其长度为总腔长的０．３３）。随着对控制段注入电流的增加，发射波长会往长波方向移动。其波长连续可调谐范围（不含跳模）在１．５３８μｍ波段可达０．８２ｎｍ。经过跳模后尚可连续调谐。